第一节 概述 第二节 程序的格式 第三节 数据类型和存储类型 第四节 运算符和表达式 第五节 指针与函数 第六节 片内硬件资源的定义 第七节 程序的基本结构 第八节 C51程序举例 第九节 Windows环境下C51编译器的操作

《电机与拖动》课程教学资源（试卷集）考试试卷十八

第一节 概述 第二节 8051单片机串行接口 第三节 串行接口的工作方式 第四节 串口初始化编程 第五节 RS-232、RS-485接口 第六节 调制解调器 第七节 串行接口的应用

第一节 8051单片机的片内并行接口 第二节 并行接口扩展与8255A并行接口芯片 第三节 LED显示器接口和键盘接口 第四节 8051单片机的定时/计数器

第一节 输入输出设备与接口 第二节 输人输出的传送方式 第三节 中断的基本概念 第四节 8051单片机的中断系统 第五节 中断程序举例

第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法

板坯连铸结晶器浸入式水口吹氩使结晶器流场发生改变,引起液面波动,造成铸坯卷渣。为了的这一问题,采用大样电解方法结合扫描电镜技术,研究了板坯连铸结晶器浸入式水口不同吹氩量和吹氩分配方式对铸坯夹杂物的数量和类型的影响,提出了减少卷渣的合理结晶器吹氩量和吹氩分配方式,得出了卷渣占结晶器夹杂物的比例超过半数的结论。分析表明合理的吹氩参数对减少结晶器卷渣有着重要的意义

在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ni81Fe19/Ta薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析.结果表明,较厚的薄膜、较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻.其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒度和低粗糙度,进而降低电子的散射,减小电阻R,增大△R/R.而较厚薄膜中,大晶粒度的作用将抵消高粗糙度的负作用,使△R/R值增大

介绍提高采样精度的锁相环同步采样技术,该方法适用于电网有畸变及频率有波动的电网测量,并提出了实现方案

第一节 汇编语言程序的格式 第二节 伪指令 第三节 汇编语言程序的编写步骤及基本结构 第四节 程序设计举例