设曲面Σ由方程z=z(x,y)给出,则另一方面,曲面的法向量为(-2x-)单位法向量为

如果曲面由方程z=z(x,y)给出,则有 Dxy 简要证明: 已知(△S)=(△),其中当cosy>0(C取上侧)时取正号, 当cosy0(取下侧)时取负号 又当(,np)是上的一点时,有5=(5,n)因此有

FLASH的后台 从前面的动画可以看出,在 FLASH中做 动需要很多图层如果想做一MTV需要很 多帧的话,这样我们在场景中看起来是 非常繁锁的,这样如果我们使用了图符 和图层,就可以方便的将这一部分动画 放在图符或影片中,在场景就很容易理 解了。也好看多了!

一.填空题:(每空1分,共35分) 1.写出下列各体系的质子条件式 (1)(mol/L)NH4 H2PO4 (2)(mol/L)NaAc+ C2(mol/L)H3BO3 2符合朗伯比尔定律的有色溶液,当有色物质的浓度增大时,其最大吸收波长,透射比

矩阵的特征值与特征向量 一、特征值与特征向量的求法 1利用定义求特征值与特征向量 步骤: (1)由|A-AE|=0求出λ; (2)对求(A-E)X=0的非零解

习题四解答 1.下列数列{an}是否收敛?如果收敛,求出它们的极限:

习题二解答 1.利用导数定义推出:

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

集成计数器具有功能较完善、通用性强、功耗低、工作速率高且可以自扩展等许多优点,因 而得到广泛应用。目前由TTL和CMOS电路构成 的MSI计数器都有许多品种,表中列出了几种常 用TTL型MSI计数器的型号及工作特点