例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

设在基带系统接收滤波器与判决电路之间插入一个具有2N+1个抽头的横向 滤波器,如图5-21(a所示。它的输入为x(t),并设它不附加噪声

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

4.1 概述 4.2 触发器的电路结构与动作特点 4.3 触发器的逻辑功能及描述方法 4.4 触发器的动态特性

2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL门电路 2.6 CMOS门电路 2.7 其它类型的TTL门电路 2.8 TTL与CMOS电路的接口

本文运用\黑箱\的方法对超高功率电弧炉炼钢工艺过程做了系统分析,基于物料衡算、能量衡算和化学平衡建立的数学模型,使用BASIC、DBASE等高级算法语言,对电弧炉炼钢工艺过程计算机操作软件进行了开发研究

a)PCM信号的码元速率和带宽 (1)码元速率。设m(t)最高频率为fn,f3≥fn,如果量化电平数为M, 则采用二进制代码的码元速率为 f,=f,-log2 M=f,N (6.3-27) (2)传输PCM信号所需的最小带宽。抽样速率的最小值f=2fn,这时码 元传输速率为fb=2fnN,在无码间串扰和采用理想低通传输特性的情况下

利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有着显著影响.通过对上述参数的调控实现了Rh纳米粒子的形貌可控制备,得到了准球形、岛状以及片层状的Rh纳米粒子.此外对岛状Rh纳米粒子在表面增强拉曼光谱中的应用进行了研究.结果表明该种结构具有良好的表面增强拉曼活性

一、能耗制动 二、反接制动

一、编码和译码 把量化后的信号电平值变换成二进制码组的过程称为编码,其逆过程称为解 码或译码