液晶的物理特性 液晶的物理特性是：当通电时导通，排列变的有秩序，使 光线容易通过；不通电时排列混乱，阻止光线通过。让液 晶如闸门般地阻隔或让光线穿透。从技术上简单地说，液 晶面板包含了两片相当精 致的无钠玻璃素材，称为 Substrates，中间夹著一层液晶。当光束通过这层液晶 时，液晶本身会排排站立或扭转呈不规则状，因而阻隔或 使光束顺利通过。大多数液晶都属于有机复合物，由长棒 状的分子构成。在自然状态下，这些棒状分子的长轴大致 平行。将液晶倒入一个经精良加工的开槽平面，液晶分子 会顺着槽排列，所以假如那些槽非常平行，则各分子也是 完全平行的

第六章 Verilog的数据类型及逻辑系统 • 学习Verilog逻辑值系统 • 学习Verilog中不同类的数据类型 • 理解每种数据类型的用途及用法 • 数据类型说明的语法 第7章 结构描述(structural modeling) • 如何使用Verilog的基本单元(primitives) • 如何构造层次化设计 • 了解Verilog的逻辑强度系统 第8章 延时模型 学习内容： 1. 如何说明块延时 2. 如何说明分布延时 3. 如何说明路径延时 4. 怎样在模块中说明时序检查 5. 标准延时格式SDF（Standard Delay Format) 第九章 编译控制的使用 • 开发商提供的Verilog库 • 用Verilog库仿真 • Verilog源代码加密 • 其它仿真器相关的问题

第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术

11.1杂凑函数的定义 定义11.1一个函数族:01→{1n>m}称为强无 碰撞压缩函数族,若下面两个条件成立。 (1)计算hn(x)是容易的,即存在一个多项式时间 算法F,若F的输入为10和x∈{0,1,则其输出为 hn(x). (2)给定算法F要找两个不同的消息x1≠x2(x=2D, 使得(x)=hx(x)是困难的,即对每一个多项式时 间概率算法M',每一正多项式p(n)和一切充分大 的n有Prhn))∈Cn(Un)}<1/p(n)(11.1) 其中Un表示{0,1}上的均匀分布随机变量

PLD能做什么呢?可以毫不夸张的讲,PLD能完 成任何数字器件的功能,上至高性能CPU,下至简单 的74电路,都可以用PLD来实现。PLD如同一张白纸 或是一堆积木,工程师可以通过传统的原理图输入 法,或是硬件描述语言自由的设计一个数字系统。 通过软件仿真,我们可以事先验证设计的正确性。 在PCB完成以后,还可以利用PLD的在线修改能力, 随时修改设计而不必改动硬件电路。使用PLD来开发 数字电路,可以大大缩短设计时间,减少PCB面积, 提高系统的可靠性。PLD的这些优点使得PLD技术在 90年代以后得到飞速的发展,同时也大大推动了EDA 软件和硬件描述语言(HDL)的进步

不等长编码的优越性总体上减少码字的长度 不等长编码的特殊问题 ①唯一可译性,或者叫做可识别性。对于一个码,如果 存在一种译码方法,使任意若干个码字所组成的字母串 只能唯一地被翻译成这几个码字所对应的事件序列。这 个码就被称为是唯一可译的 解决方案:适当地编码,使得每个码字都具有识别标记。 (注解:一个唯一可译的、码字长度不超过N的D元码,其 码字个数小于D(D~-1)(D-1)个。这是因为两个码字c)和 c(2)连接成的字母串cc(2)不能是码字)

在前面九章学习的基础上,通过本章十个阶段的练习,一定能逐步掌握 Verilog hdl设计的 要点。我们可以先理解样板模块中每一条语句的作用,然后对样板模块进行综合前和综合后 仿真,再独立完成每一阶段规定的练习。当十个阶段的练习做完后,便可以开始设计一些简 单的逻辑电路和系统。很快我们就能过渡到设计相当复杂的数字逻辑系统。当然,复杂的数 字逻辑系统的设计和验证,不但需要系统结构的知识和经验的积累,还需要了解更多的语法 现象和掌握高级的 Verilog hdl系统任务,以及与C语言模块接口的方法(即PLI),这些已 超出的本书的范围。有兴趣的同学可以阅读 Verilog语法参考资料和有关文献,自己学习, 我们将在下一本书中介绍 Verilog较高级的用法

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

 Z变换的正变换和逆变换定义，以及收敛域与序列特性之间的关系。  Z变换的定理和性质： 移位、 反转、 z域微分、 共轭序列的Z变换、 时域卷积定理、 初值定理、 终值定理、帕斯瓦尔定理。  系统的传输函数和系统函数的求解。  用极点分布判断系统的因果性和稳定性。  零状态响应、 零输入响应和稳态响应的求解。  用零极点分布定性分析并画出系统的幅频特性。  4.1 Z变换定义  4.2 Z变换收敛域  4.3 Z变换的基本性质  4.4 Z反变换  4.5 几种变换的对应关系  4.5 系统函数与频率特性

定义： 包含一个电容和电感，或两个电容，或两个电感的动态电路。称为二阶电路。 二阶电路可用一个二阶微分方程或两个联立的一阶微分方程描述。 本章只讨论包含一个电容和电感的二阶电路。可能出现振荡形式。 学习内容： 1、从物理概念上阐明LC电路中的正弦振荡； 2、学习RLC串联电路的零输入响应的求解；了解二阶电路的一般分析方法；掌握特征根与固有响应的关系。 3、学习求解RLC串联电路的完全响应的方法。 4、学习求解GCL并联电路的分析方法。 1、LC 电路中的正弦振荡 2、RLC 串联电路的零输入响应 3、RLC 串联电路的全响应 4、GCL 并联电路的分析