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长江大学：《大学物理》课程教学资源（物理实验报告）测非线性电阻的伏安特性
文档格式：DOC　文档大小：25KB　文档页数：1
⒈从二极管伏安特性曲线导通后的部分找出一点，根据实验中所用的电 表，试分析若电流表内接，产生的系统误差有多大？如何对测量结果进行 修正？
三峡大学：《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源（试题库）第七章 常用时序逻辑功能器件习题
文档格式：DOC　文档大小：26.5KB　文档页数：2
7-1选择题 1.同步计数器和异步计数器比较,同步计数器的显著优点是控 A.工作速度高B.触发器利用率高C.电路简单D.不受时钟C
长江大学物理科学与技术学院：《大学物理》第三章 电磁感应
文档格式：PPT　文档大小：1.53MB　文档页数：32
一. 电磁感应现象 法拉第于1831年 8月29日发现了电磁感应现象表明电磁感应现象的实验： 1.一 通电线圈电流的变化使另一线圈产生电流
《光纤通信原理课件》第五章 光缆和光纤通信器件
文档格式：PPT　文档大小：268.5KB　文档页数：53
第五章光缆和光纤通信器件 5.1光纤的温度特性和机械特性 5.2光缆的结构和种类 5.3无源光器件 5.4发光二极管器件简介 5.5半导体激光二极管器件 5.6电检测器件 5.7其它新型光通信器件简介
北京大学药学院：《物理化学 Physical Chemistry》课程教学资源（PPT课件讲稿）第五章 电化学（5.9）电动势测定
文档格式：PPT　文档大小：453.5KB　文档页数：8
一、判断化学反应方向 方法： 将反应设计为电池
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.6
文档格式：PPT　文档大小：36KB　文档页数：1
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.6
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式：PDF　文档大小：509.21KB　文档页数：4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.3
文档格式：PPT　文档大小：153.5KB　文档页数：1
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.3
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.2
文档格式：PPT　文档大小：154KB　文档页数：1
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.2
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.1
文档格式：PPT　文档大小：153.5KB　文档页数：1
桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.1
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