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第1章 VLSI概论第1部分硅片逻辑第2章 MOSFET逻辑设计第3章 CMOS集成电路的物理结构第4章 CMOS集成电路的制造第5章物理设计的基本要素第2部分从逻辑到电子电路第6章 MOSFET的电气特性第7章 CMOS逻辑门电子学分析第8章高速CMOS逻辑电路设计第9章 CMOS逻辑电路的高级技术第3部分 VLSI系统设计第10章用Verilog硬件描述语言描述系统第11章常用的VLSI系统部件第12章 CMOS VLSI引运算电路第13章存储器与可编程逻辑第14章系统级物理设计第15章 VLSI时钟和系统设计第16章 VLSI电路的可靠性与测试

中国科学技术大学：《超大规模集成电路设计（VLSI）》课程教学资源（课件讲稿）第9章 CMOS逻辑电路的高级技术

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9.1 镜像电路 9.2 准nMOS电路 9.3 三态电路 9.4 时钟控制CMOS 9.5 动态CMOS逻辑电路 9.6 双轨逻辑电路

中国科学技术大学：《超大规模集成电路设计（VLSI）》课程教学资源（课件讲稿）第6章 MOSFET的电气特性

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6.1 MOS物理学 6.2 nFET电流-电压方程 6.3 FET的RC模型 6.4 pFET特性 6.5 小尺寸MOSFET模型

广东工业大学：《电力电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第六章 DC-DC和DC-AC变换器

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6.1 直流斩波电路(DC－DC) 6.2 自换流整流电路 6.3 逆变电路（DC－AC）

广州铁路职业技术学院：《模拟电子技术》第一章半导体器件习题

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一、是非题 1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() 2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 3、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()