《电机与拖动》课程教学资源（试卷集）考试试卷五

《电机与拖动》课程教学资源（试卷集）考试试卷四

《电机与拖动》课程教学资源（试卷集）考试试卷三

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

4.1 概述 4.2 触发器的电路结构与动作特点 4.3 触发器的逻辑功能及描述方法 4.4 触发器的动态特性

2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL门电路 2.6 CMOS门电路 2.7 其它类型的TTL门电路 2.8 TTL与CMOS电路的接口

《电机与拖动》课程教学资源（试卷集）考试试卷二

本文运用\黑箱\的方法对超高功率电弧炉炼钢工艺过程做了系统分析,基于物料衡算、能量衡算和化学平衡建立的数学模型,使用BASIC、DBASE等高级算法语言,对电弧炉炼钢工艺过程计算机操作软件进行了开发研究

一、能耗制动 二、反接制动

利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有着显著影响.通过对上述参数的调控实现了Rh纳米粒子的形貌可控制备,得到了准球形、岛状以及片层状的Rh纳米粒子.此外对岛状Rh纳米粒子在表面增强拉曼光谱中的应用进行了研究.结果表明该种结构具有良好的表面增强拉曼活性