Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com

High power diode laser ROFIN DI Series ROFIN DL X75 750 w ROFIN DL 010 000 W ROFIN DL 015 500 W ROFIN DL 020 2000 w ROFIN DL 025 2500 W ROFIN DL 030 3000 w ROFINI SINAR

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE

External dimensions(Unit: mm) High frequency rectification （1)Small power mold type(PMDS) （2) Ultra low VF （3)Very fast recovery

1SR154400/1sR154-600 Diodes Rectifier diode 1SR154400/1sR154600 EXternal dimensions(Units: mm) （1)General purpose rectification （2) Surge absorption

§9.1引言 §9.2 Euler方法 §9.3 Runge-Kutta公式 §9.4单步法的进一步讨论 §9.5线性多步法

§7.0简介 §7.1二分法(对分法) §7.2迭代法的基本理论 §7.3迭代的加速收敛方法 §7.4 Newton迭代法 §7.5弦割法和抛物线法

§5.0概述 §5.1高斯消去法 §5.2矩阵分解及其在解方程组中的应用 §5.3矩阵的条件数和方程组的性质

赋范空间、内积空间、正交多项式 最佳平方逼近 曲线最小二乘拟合 最佳一致逼近(工科研究生不要求)

1算法的概念、可靠性以及优劣评判 2误差的度量以及传播 3算法设计应注意的问题