第一节 概述 第二节 8051单片机串行接口 第三节 串行接口的工作方式 第四节 串口初始化编程 第五节 RS-232、RS-485接口 第六节 调制解调器 第七节 串行接口的应用

第一节 8051单片机的片内并行接口 第二节 并行接口扩展与8255A并行接口芯片 第三节 LED显示器接口和键盘接口 第四节 8051单片机的定时/计数器

采用Thermo-Calc热力学模拟计算与实验相结合的方法,优化设计了一种V、Ta微合金化的低活性F/M钢12Cr3WVTa,经1 050℃水淬及780℃回火后对其显微组织及析出相进行光学显微镜、扫描电镜和透射电镜观察以及能谱分析.实验钢淬火回火后显微组织由回火马氏体和少量δ铁素体相组成,析出相主要为M23C6和MX相(M=V,Ta;X=C,N),其中M23C6主要分布于回火马氏体板条界和相界,而MX弥散析出于回火马氏体板条内以及δ铁素体内.实验钢室温和高温(600℃)拉伸力学性能良好,600℃下材料抗拉强度为507 MPa,屈服强度为402 MPa,满足超临界水冷堆用包壳管的拉伸性能要求

第一节 输入输出设备与接口 第二节 输人输出的传送方式 第三节 中断的基本概念 第四节 8051单片机的中断系统 第五节 中断程序举例

第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．

第一节 汇编语言程序的格式 第二节 伪指令 第三节 汇编语言程序的编写步骤及基本结构 第四节 程序设计举例

针对一般矢量控制系统存在的动、静态转矩电流与磁场电流的耦合问题,在分析磁场定向偏差对系统性能影响的基础上,首次引入自适应逆控制策略的控制方案,并分析了方案的控制特点.理论分析及仿真实验表明,该控制策略可以有效地解决一般矢量控制系统存在的转矩与磁场耦合对系统性能造成的影响,提高系统动、静态性能

编码器在许多应用场合要求每旋转1个周期给出1个零脉冲信号.要满足这一使用要求,在前期增量型高分辨率磁编码器的研究基础上,对具有零脉冲信号输出的磁编码器的结构设计、信号触发磁鼓的试制、磁敏电阻敏感元件制备、电子信号处理的研制过程进行讨论

介绍了一种判断钢筋腐蚀状况的方法——EIR法.该方法采用钢筋自然腐蚀电位、腐蚀电流密度、混凝土电阻率三个电化学要素判断钢筋腐蚀状况,解决了美国ASTMC876-91标准等单一要素判别方法判断钢筋腐蚀的缺陷,并准确地对北京某一重点工程大楼部分区域混凝土中钢筋的腐蚀状态进行了评估