3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

利用扩散偶局部平衡原理,通过金相观察和电子探针微区成分分析,重新测定了1000℃下Ti-Al-Y三元系部分等温截面相图。首次发现该系在1000℃存在两个三元化合物均相区Y(AlxTi1-x)2(x=80%~100%)和Y3(AlxTi1-x)2(x=80%~100%).改变了以前发表的关于Ti-Al-Y三元相图1000℃等温截面的研究结果。此外在所测部分等温截面相图中存在6个单相区、9个两相平衡区、4个三相平衡区。1000℃下Y在TiAl和TiAl2相中存在1个固溶区,其最大固溶度分别为(原子)1.25%和4.20%;Y在Ti3Al和TiAl3相中固溶度很小,均小于(原子)0.1%