4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

§8-1反馈的基本概念与分类 §8-2负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式 §8-3负反馈对放大电路性能的改善 §8-4负反馈放大电路的分析方法 §8-5负反馈放大电路的稳定问题

一、半导体三极管 二、基本放大电路

8.1 反馈的基本概念与分类 8.2 负反馈放大电路增益的一般表达式 8.3 负反馈对放大电路性能的影响 8.4 深度负反馈条件下的近似计算 8.5 负反馈放大电路设计 8.6 负反馈放大电路的稳定性

7.1反馈的基本概念与分类 7.1.1反馈的基本概念 7.2负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式 7.1.2四种类型的反馈组态 7.3负反馈对放大电路性能的改善 7.4负反馈放大电路的分析方法 7.5负反馈放大电路的稳定问题

重点：功率放大电路的组成原则,各种功放的电路特点和优缺点,OCL电路的组成、工作原理、输出功率和效率的估算及晶体管的选择。难点：因“大信号、大功率”,使得功率放大电路在电路的组成原则、分析方法、主要参数等方面和小信号放大电路的不同,成为初学者学习的难点。所以,在本章开始就要引导学生深入了解对功率放大电路的基本要求,从这些基本要求出发来阐明本章的重点内容

7.1反馈的基本概念与分类 7.2负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式 7.3负反馈对放大电路性能的改善 7.4负反馈放大电路的分析方法 7.5负反馈放大电路的稳定问题

5.1反馈的基本概念与分类 5.2负反馈对放大电路性能的改善 5.3深度负反馈放大电路的分析计算 5.4负反馈放大电路的稳定性分析及频率补偿

5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管

10.1 滤波电路的基本概念与分类 10.2 一阶有源滤波电路 10.3 高阶有源滤波电路 10.3.1 有源低通滤波电路 10.3.2 有源高通滤波电路 10.3.3 有源带通滤波电路 10.3.4 二阶有源带阻滤波电路 *10.4 开关电容滤波器 10.5 正弦波振荡电路的振荡条件 10.6 RC正弦波振荡电路 10.7 LC正弦波振荡电路 10.7.1 LC选频放大电路 10.7.2 变压器反馈式LC振荡电路 10.7.3 三点式LC振荡电路 10.7.4 石英晶体振荡电路 10.8 非正弦信号产生电路 10.8.1 电压比较器 10.8.2 方波产生电路 10.8.3 锯齿波产生电路