5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

第一节 金属焊接性的概念及其影响因素 第二节 金属焊接性试验的目的和内容 第三节 金属焊接性试验方法的分类及选用原则 第四节 利用焊接性试验拟定焊接工艺的基本思路 第五节 常用的金属焊接性试验方法 第六节 金属焊接性试验工程应用实例

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

1.1 金属材料的结构与组织 1.1.1 纯金属的晶体结构 1.1.2 合金的晶体结构 1.1.3 金属材料的组织 1.2 金属材料的性能 1.2.1 工艺性能 1.2.2 机械性能 1.2.3 理化性能

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