使用薄膜TEM直接观察了成分相近热处理制度不同的两个炉号GH36合金的基本组织,使用SAD和DF技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约在2nm～12nm,还有M23C6和N6C、其中VC和M23C6与合金基体的取向关系是[011]vc∥[011]M∥[011]M23C6,（111）VC∥（111）M∥（111）M23C6,（200）VC∥（200）M∥（200）M23C6,通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M23C6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性

本章详细介绍TMS320C55x的硬件结构，包括C55x处理器的CPU体系结构、指令流水线、存储空间结构及TMS320VC5509A的主要特性等。 2.1 TMS320C55xDSP的基本结构 2.2 TMS320VC5509A的主要特性 2.3 TMS320C55x存储空间结构

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、c的对地电位分别为a=-9v,VB= 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

本单元教学目标 介绍C++程序的基本结构以及在计算机上输入、编译、调试和运行C+程序的基本方法和步骤。 学习要求 了解C++程序的基本特点,熟悉 Visual++集成开发环境的基本使用方法

C语言是一门高级计算机语言，它非常适 合进行系统软件和应用软件的开发。在它 的基础上发展起来的VC++、C#等语言更 加体现了它的优越性，它们是目前应用相 当广泛的计算机语言。C语言的功能丰富， 表达能力强，使用灵活方便，应用面广， 目标程序效率高，可移植性好。这门课要 求学生多思考、多上机练习

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