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类型:教学课件 大小:119.08KB 下载/浏览:3/1410 评论:2 评分:4.5 积分:10
《固体物理——固体物理之晶面和晶向》ppt。
类型:参考资料 大小:664.05KB 下载/浏览:2/1039 评论:2 评分:6 积分:10
主要讲述晶体的基本性质、空间点阵、整数定律及晶面指数、晶体投影等内容。
类型:教学课件 大小:29.67MB 下载/浏览:4/2830 评论:4 评分:7 积分:10
体的形成,晶体的测量与投影,晶体对称,晶体定向、晶面符号与晶带,单形和聚形,晶体的规则连生,晶体结构
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文档格式:PDF 文档大小:1.27MB 文档页数:59
4.1 原子坐标 4.2 晶面及晶面指数 4.3 晶向及晶向指数 4.4 倒易点阵 4.5 晶面间距、晶面夹角及晶带 4.6 晶体的极射赤面投影表示 4.7 晶体的定向方法
文档格式:DOC 文档大小:16KB 文档页数:1
作业一: 1.在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向: (11)n12,(10与[1],(132)与[123 2.在立方晶系的一个晶胞中画出(111)和(112)晶面,并写出两晶面交线的晶向指数。 3.立方晶系的(111),(110),(123)晶面族各包含多少晶面,写出它们的密勒指数
文档格式:PPTX 文档大小:6.01MB 文档页数:63
2.2.1 立方晶系的晶向指数与晶面指数 2.2.2 六方晶系的晶向指数与晶面指数 2.2.3 晶向和晶面间的关系
文档格式:PDF 文档大小:1.29MB 文档页数:10
SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型(Song模型和Massoud经验关系式)以及硅碳排放模型(Si?C emission model)进行系统研究和比较。在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路
文档格式:PDF 文档大小:1.97MB 文档页数:43
一. 晶体结构的表达方法 二. 晶向、晶面和它们的标志 三. 晶面间距 四. 典型晶体结构 五. 多晶型现象和结构相变
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