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类型:电子教案 大小:2.13MB 下载/浏览:27/2214 评论:6 评分:6.5 积分:10
路原理课程”的绪论,内容有:§0.前言、IC的分类、描述IC工艺技术水平的五个技术指标、微电子科学技
类型:教学课件 大小:11.89MB 下载/浏览:5/3637 评论:4 评分:9 积分:10
PPT格式。芯片制造半导体工艺完整课件,共18章内容,内容全面、丰富,主要内容包括半导体工业介绍、芯片制造概述、基本光刻工艺、淀积、装配与封装等,制作精美,满足高校教学的需要,共分两部分上传,这是芯片制造半导体工艺(二)的内容,特别适合大学教师作为教学参考参考使用。
类型:教学课件 大小:21.14MB 下载/浏览:25/5160 评论:15 评分:7.4 积分:10
本资源为高频电子线路(含勘误表),包括各章节完整PPT课件、各章节相关知识点flash动画素材,是一个难得的高频电子课件: 绪论.ppt 第一章 选频网络与阻抗变换.ppt 第二章 高频小信号放大器.ppt 第三章 正弦波振荡器.ppt 第四章 频谱搬移电路.ppt 第五章 角度调制与解调电路.ppt 第六章 反馈控制电路与频率合成技术.ppt 第七章 高频功率放大器.ppt 第八章 噪声与干扰.ppt 高频电子线路勘误.doc 注:各章节附相关知识点flash动画素材。
类型:试卷习题 大小:1.1MB 下载/浏览:30/2487 评论:9 评分:5.9 积分:10
JAVA基础教程及习题 01_面向对象原理与实现 02_关键字 03_方法重载覆盖修饰符 04_static_abstract_interface_内部类 05_异常与垃圾收集 06_集合框架ArrayList HashMap 07_JDBC
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文档格式:PDF 文档大小:6.01MB 文档页数:83
集成电路(IC)发展 发展历史 特点 发展规律一摩尔定律 IC的分类 IC设计要求 EDA技术的发展 VLSI设计方法学——IC的层次化、结构化设计概念 深亚微米和纳米工艺对EDA技术的挑战
文档格式:PDF 文档大小:282.66KB 文档页数:2
在Bi2223/Ag超导多芯带材的制备过程中,采用了热处理—冷压—热处理的工艺,取压力、压下速率、摩擦系数和来料作为待研究的冷压工艺参数,以带材的临界电流Ic值为评价指标,用正交法设计实验方案,结果表明:摩擦系数对带材临界电流Ic值的影响高度显著,压力和来料对带材Ic值的影响显著,压下速率对带材Ic值的影响程度量小.
文档格式:PPT 文档大小:2.5MB 文档页数:117
绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况
文档格式:PPT 文档大小:4.63MB 文档页数:59
1.1 About Digital Design(关于 “ 数字设计 ”) 1.2 Analog versus Digital(模拟与数字) 1.3 Digital Devices(数字器件) 1.4 Electronic Aspects of Digital Design(数字设计的电子技术) 1.5 Software Aspects of Digital Design(数字设计的软件技术) 1.6 Integrated Circuits(集成电路,IC) 1.7 Programmable Logic Devices(可编程逻辑器件)  Programmable Logic Array(PLA, 可编程逻辑阵列)  Programmable Array Logic (PAL, 可编程阵列逻辑)  Programmable Logic Device(PLD, 可编程逻辑器件)  Complex PLD (CPLD, 复杂可编程逻辑器件)  Field-Programmable Gate Array(FPGA, 现场可编程门阵列) Digital Logic Design and Application (数字逻辑设计及应用) 1.8 Application-Specific ICs[专用集成电路(ASIC)] 1.9 Printed-Circuit Boards(PCB, 印制电路板) 1.10 Digital Design Levels(数字设计层次)  Device Physics Level (器件物理层)  IC Manufacturing Process Level(IC 制造过程级)  Transistor Level (晶体管级)  Gates Structure Level (门电路结构级)  Logic Design Level (逻辑设计级)  Overall System Design(整体系统设计) Digital Logic Design and Application (数字逻辑设计及应用)
文档格式:PPT 文档大小:927KB 文档页数:16
对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等
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