模拟电子技术 第四章 放大电路的颂率响应 41放大电路的频率性 42多级放大器的频率响应 小结
模 拟 电 子 技 术 4.1 放大电路的频率性 第 四 章 放大电路的频率响应 4.2多级放大器的频率响应 小结
模拟电子技术 41放大电路的频率性 引言 4.1.1简单RC低通和高通电路的频率特性 4.1.2晶体管以及其单级放大电路的频率特性 4.13集成运算放大器高频参数及其影响
模 拟 电 子 技 术 4.1 放大电路的频率性 引言 4.1.2 晶体管以及其单级放大电路的频率特性 4.1.3 集成运算放大器高频参数及其影响 4.1.1 简单RC低通和高通电路的频率特性
模拟电子技术 引言 1.幅频特性和相频特性 um A=4()∠()0m23x ∫4()—幅频特性 1(∫)—相频特性 y 几一下限截止频率 ∫1-上限截止频率 2.频带宽度(带宽)BW( Band width) BW=fH-fL≈fH
模 拟 电 子 技 术 O f Aum 1.幅频特性和相频特性 A A ( f ) ( f ) u = u Au ( f ) — 幅频特性 ( f ) — 相频特性 0.707Aum O f Au f L— 下限截止频率 f H— 上限截止频率 2. 频带宽度(带宽)BW(Band Width) BW = f H - f L f H 引 言 fL fH
模拟电子技术 41简单RC低通和高通电路的频率特性 、RC低通电路的频率特性 1.频率特性的描述 R 1/jaC U R+iliac 1+jaRC 令1/RC=1 则f1=1/2mRC
模 拟 电 子 技 术 一、RC 低通电路的频率特性 4.1.1 简单 RC 低通和高通电路的频率特性 1. 频率特性的描述 R C Uo • Ui • • 1 j 1 1/ j 1/ j i o R C RC C U U Au + = + = = • • H 1 j 1 f f + = 令 1/RC = H 则 fH = 1/2RC
模拟电子技术 n|幅频特性 0.70 +(f/f)2 q=- arctan f/ft滞后 904----- ∫=0时,A4|=1;q=0 相频特性 J=n时,|=2=0.707:=-4 ∫>f时,A→>0;q→-90°
模 拟 电 子 技 术 1 ( / ) 1 2 H f f A u + = • H = -arctan f / f 滞后 0 90 H 时， → ； → - A u f f • f = 0 时 , A u = 1 ； = 0 • = = = 0.707 = -45 21 f fH 时 ， A u ； • •O f |Au | 1 0.70 7 O–45 –90 fH f 幅频特性 相频特性
模拟电子技术 2.频率特性的波特图 1+(f/f1)2 P=-arctan f/fp 20lglauydB 0.1110100 0.70 20--1 3 dB f∫ 40 01110-20dB十倍频 45 45 909 90 频率特性 波特图 -4°+倍频
模 拟 电 子 技 术 2. 频率特性的波特图 f / fH 0 • 20lg|Au |/dB –20 0 –45 –90 fH –40 0.1 1 10 100 0.1 1 10 f / fH 频率特性 波特图 • –90 f 0 |Au | 1 0.707 0 –45 fH f – 3 dB – 20 dB/十倍频 – 45/十倍频 H = - arctan f / f 1 ( / ) 1 2 H u f f A + = •
模拟电子技术 、RC高通电路的频率特性 R R+1/joc 1+1jaRC 1-i fi 0;RU令1RC=a则A=12RC 1+(1/)2 = arctan f1/∫超前 ≥10f20g4|=0dB ≈ ∫=后20g4l=20g0.7071=-3dBg=45° ≤0.1f20lg4川=-201g//fu
模 拟 电 子 技 术 二、RC 高通电路的频率特性 R C RC R U U Au 1 1/j 1 1/ j i o + = + = = • • • f f L 1 j 1 - = 令 1/RC = L则 fL = 1/2RC = arctan f L / f 超前 1 ( / ) 1 2 L f f Au + = f 10 fL 20lg|Au | = 0 dB 0 f = fL 20lg|Au | = 20lg0.7071 = -3 dB = 45 f 0.1 fL 20lg|Au | = -20lg f / fH 90 R C Ui Uo • •
模拟电子技术 例41.1求已知一阶低通电路的上限截止频率 1 kQ 就维宁定理等 1/1kQ2 ①1k 01p 0.01 2兀RC2×3.14×0.5k×001pF 318(kHz) 例5.2已知一阶高通电路的f=300Hz,求电容C 5 C 2T r 2 kS 2×3.14×300HZ×2500g =0212(μF)
模 拟 电 子 技 术 例 4.1.1求已知一阶低通电路的上限截止频率。 0.01 F 1 k 1 k 1//1 k 0.01 F RC f = 2 1 H 2 3.14 0.5 k 0.01 F 1 = = 31.8 (kHz) 例 5.1.2已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C 。 500 C 2 k f R C L 2 1 = = 2 3.14 300 Hz 2500 1 = 0.212 (F) 戴维宁定理等效
模拟电子技术 412晶体管及其单级放大电路的频率特性 、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性 1.中频特性 CCC1、C2可视为短路 R 极间电容可视为开路 R B中R R R B be t us 180° 2.低频特性:极间电容视为开路 耦合电容C1、C2与电路中电阻串联容抗不能忽略
模 拟 电 子 技 术 4.1.2 晶体管及其单级放大电路的频率特性 一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性 +VCC RC C1 C2 V R L + + RB1 RB2 RS US • 1. 中频特性 C1、C2 可视为短路 极间电容可视为开路 s0 be s L us Au r R R A = + - = -180 2. 低频特性：极间电容视为开路 耦合电容 C1、C2 与电路中电阻串联容抗不能忽略
模拟电子技术 b 2 Rc囗R be BIrO us0 usO A us 1-jfr/f √+(厂1/f)2 f={mx(f1,f12)} P=-180+arctan(fi lf) 结论:频率降低,4灬吨÷小输出比输电压士 相位超
模 拟 电 子 技 术 b I • • RS US • be r RC RL C1 C2 B R' c I b I • US RS be r RC RL C1 C2 b I RC I b o I Ui Uo • • • • • 2 L s0 s 1 ( f / f ) A A u u + = 180 arctan( / ) L = - + f f f L =max ( f L1 , f L2 ) 结论: 频率降低, Aus 随之减小, 输出比输入电压 相位超前。 2 ( ) 1 S be 1 L1 ； R r C f + = L 2 L2 2 ( ) 1 R R C f C + = R B >> rbe f f A A u u 1 j / L s0 s - = • •