第五章存储器原理与接口 存储器分类 ■存储器结构 ■8086CPU最小模式下总线产生 ■存储器接口
第五章 存储器原理与接口 ◼存储器分类 ◼存储器结构 ◼ 8086CPU最小模式下总线产生 ◼存储器接口
5.1存储器分类 有关存储器几种分类 按构成存储器的器件和存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器
5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类 ➢ 按构成存储器的器件和存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器
>按存取方式分类 随机存储器RAM( Random Access memory) 只读存储器ROM( Read-Only Memory) 串行访问存储器( Serial Access Storage)
➢按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 串行访问存储器(Serial Access Storage)
按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器
➢按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a.静态RAM(ECL,TTL,MOS) b.动态RAM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM （ECL，TTL，MOS） b. 动态RAM
2、只读存储器ROM a.掩膜式ROM b.可编程的PROM C.可用紫外线擦除、可编程的 EPROM d.可用电擦除、可编程的E2PROM等
2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E 2PROM等
H可用紫外线擦除、可编程的 EPROM Vcc 位 行线 线输出 绝缘层 D 浮栅管 浮动栅雪崩注入式 S 位线 MOS管
D S Vcc 位 线 输 出 位线 浮栅管 行线 绝缘层 浮动栅雪崩注入式 MOS管 可用紫外线擦除、可编程的EPROM
编程 使栅极带电 擦探除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 定光强的紫外线透过窗口照射时,所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉,使浮栅恢复初态 般照射20~30分钟后,读出各单元的内 容均为FFH,说明 EPROM中内容已被擦除
◼编程 ◼使栅极带电 ◼擦除 ◼EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 ◼当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉，使浮栅恢复初态。 ◼一般照射20～30分钟后，读出各单元的内 容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除
静态RAM(SRAM) RAM{动态RAM(DRAM 掩膜型ROM ROM可编程ROM(PROM) 可擦除可编程ROM( EPROM 电可擦除可编程ROM(E2PROM)
RAM 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） ROM 掩膜型ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM)