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华中科技大学:《研究生考试题库》习题库(三)2001年研究生入学考试电介质物理

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1、试电感应强度【电位移)、电化强定和荷密度 的物理意义,写出它们之间的数学表达式(15分) 2、已知某种晶体为立方密堆结构,正、负离子径分别为 .33×1米,.95×10米,试求出其在流电汤下 的电系数(已知雪数n=,马德隆常数A=1.75、单
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oO-年招收硕士研究生入学考试试题 考试科目 飞介物里 适用专业: 做子学与体电子学 流述电感应强度(电位移)E也楼化强疫F和来博也奇蜜茂 σ·的物义,写出它们之问的數学教达式。(15分) 已知柒种誚钵为聞六方富堆结构,正、负子此径分别为! .33X1J米,:-95×1来,试求士其在真汍电衙下 的介电桑敬(已知晶节n=s,身缌敬A=1.7、平分 侔积的孬子炊F=2.x10/米1,(15分) 屺食质十夺在地據现象如电思共介电系敦、摆耗角正动与 电场频`的关如何?引从理意义卜如以解擀,【5分 已如集种申介质在蜒阜为ω=100时,ε”达到极大住,若須 将ε"减小至十峰值.其ω应为多少?沘刑’·将如何文化( 不算出具体数)5(13分 试愿编号:44 页

5、试论述高介晶【如T02)和张介鼎停(如3Ti03)的介电 数均很人以及蚀介鼎体的介电系数叉特大的根本原酉 (15分 b.分新体电介煩十弃在气孔时,对电介勇的电性献会带来 哪些影?亓说明产生这士的原时,(15分) 试达在也场作用下·介质与介质、个与毕导,半导体与 半导你接慰叮能现的界面現象.并举例讯明这些现象的应用 湑少(12分) 试题编,447 页

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