6模拟集成电路 6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 62差分式放大电路 63差分式放大电路的传输特性 64集成电路运算放大器 65实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响 HO配E
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响 6.2 差分式放大电路
61模拟集成电路中的 直流偏置技术 611BJT电流源电路 1.镜像电流源 3.高输出阻抗电流源 2微电流源 4.组合电流源 612FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 MOSFET多路电流源 3.JFET电流源 HO配E
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 6.1.2 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源
611BJT电流源电路 1.镜像电流源 R T1、T2的参数全同 2/B 即B1=B2,IcEo=l dc1=12=1。=EF CEO2 BE2 BEl C2 Cl EE 当BJT的较大时,基极电流可以忽略 CC BE EE Vec+y CC EE 0 C2 REF R R 代表符号 HO配E
6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 VBE2 =VBE1 E2 = E1 I I C2 = C1 I I T1、T2的参数全同 即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io ＝IC2≈IREF＝ R V V R VCC VB E VEE CC EE ( ) + − − − 代表符号
611BJT电流源电路c 1.镜像电流源 EF 动态电阻 b C2 6U, CE2 击穿 般r在几百干欧以上 斜率 可用范围 HO配E
6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 动态电阻 B2 1 CE2 C2 o ( ) I v i r − = 一般ro在几百千欧以上 ce = r
611BJT电流源电路 2微电流源 REF 2 BEl BE2 C2 E2 R T T BE2 △ BE 由于△Vn很小, R 所以工2也很小。 ce2 1+ 2 十 R (参考射极偏置共射放大电鹛的輸出电阻R HO配E
6.1.1 BJT电流源电路 2. 微电流源 e2 BE1 BE2 R V −V I O = I C2 I E2 = e2 BE R V = 由于 VBE 很小， 所以IC2也很小。 ro ≈rce2（1＋ ） be2 e2 e2 r R R + （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 R ） o
611BJT电流源电路 CC 3.高输出阻抗电流源 REF tv "CC“BB3BE2EE REF R ≥1c TI 2 REF A1和4分别是T1和T的相对结面积 动态输出电阻r远比微电流源的动态输出电阻为高 HO配E
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC B E3 BE2 EE REF − − + = REF 1 3 o C2 I A A I I =
611BJT电流源电路 +Vcc 4.组合电流源 T、R1和T支路产生基准电流 T 长K REF T和T2、T和T构成镜像电流源 R T和T3,T和T构成了微电流源 Vcc+VEe BEl EB4 12 T REF R I R EE HO配E
6.1.1 BJT电流源电路 4. 组合电流源 T1、R1 和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I + − − = T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源
612FET电流源 1 MOSFET镜像电流源 V+V。一V R REF Io =lD=ref S i R DD GS d22=l R NMOS 当器件具有不同的宽长比时 T1 8 T2 VDS2 W2/L2 O W,/LI TREF (=0) ds 2 MOSFET基本镜像电路流 HO配E
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS G S O D2 REF + − = = = REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I = （=0） ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流
612FET电流源 D 1 MOSFET镜像电流源a 用T代替R,TT特性相同 T D2=10 且工作在放大区,当A=0时,输出 电流为 Im2=(W/L)2kn2(s2-V12)2 n2GS2 Vn2)2 常用的镜像电流源 HO配E
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V = − = − 用T3代替R，T1 ~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源
612FET电流源 2. MOSFET多路电流源 +VDp REF K n0 gS W/L NMOS To W/L.REF GSO W/L NMOS TL T T T4 REF VGsL VGs GS4 W/L REF HO配E
6.1.2 FET电流源 2. MOSFET多路电流源 REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I = REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I = REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I = 2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I = − =