由出备我 第10章电子电路中常用的元件 10.2FN结 10.21PN结的形成 1022PN结的单向导电性 回國
10.2 PN结 10.2.1 PN结的形成 10.2.2 PN结的单向导电性
由三由效 第10章电子电路中常用的元件 1021PN结的形成 扩散运动:由浓度差引起的载流子运动。 漂移运动:载流子在电场力作用下引起的运动。 、载流子的浓度差引起多子的扩散 Q6④ 内电场 二、复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点 无载流子、阻止扩散进行、利于少子的漂移。 扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流等于漂移电流,总电流Ⅰ=0。回回国
10.2.1 PN结的形成 一、载流子的浓度差引起多子的扩散 二、 复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子、 阻止扩散进行、利于少子的漂移。 三、 扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 内电场 扩散运动： 漂移运动： 由浓度差引起的载流子运动。 载流子在电场力作用下引起的运动
由三由效 第10章电子电路中常用的元件 1022PN结的单向导电性 加正向电压(正向偏置)导通 P区閩N区拂琢樾糍 中和分离千/甲荷区变窄。 外电场 内电场 R限流电阻 加反向电压(反向偏置)截止 P区图 瑮酪蚜徳邡乎郾螬椀, 内电场 外电场 =子≈间电荷区变宽 R PN结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大; 反偏截止,电阻很大,电流近似为零
一、加正向电压(正向偏置)导通 P 区 N 区 内电场 + − U R 外电场 外电场使多子向PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 I 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流I 。 I = I多子 − I少子 I多子 二、加反向电压(反向偏置)截止 P 区 N 区 − + U R 内电场 外电场 外电场使少子背离PN 结移动， 空间电荷区变宽。 I PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 漂移运动加强形成反向电流I I = I少子 0 10.2.2 PN结的单向导电性