全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
资源类别:文库,文档格式:DOC,文档页数:5,文件大小:99.5KB,团购合买
点击进入文档下载页(DOC格式)
已到末页,全文结束

相关文档

点击下载(DOC格式)