55各种放大器件电路性能比较 表5.52各种放大器件电路性能比较 反相电压放大器 电压跟随器 电流跟随器 备注 直流电源 直流电源 直流电源 负载元件 负载元件 通用组态电路 三端有 示意图 源器件 三端有 源器件 源器件 负载元 其他特点 组态命名依据 的主要特征 的不仅与反相,而且一般4|1吃≈ 对于BT有≈上 见表3.61 对于r有 和表53.1 典型电路共射极电路 共集电极电路 共基极电路 共源极电路 共漏极电路 共栅极电路 用途 电压增益高,输入电阻和输入电容均较|输入电阻高、输出电阻低,可作阻抗|输入电阻小,输入电容小,适用 大,适用于多级放大电路中间级 变换,用于输入級、输出级或緩冲级于高频、宽带电路 BACKNEXT
5.5 各种放大器件电路性能比较
55各种放大器件电路性能比较 学电信系 组态对应关系:BJT FET CE←CS CC←→CD 电压增益: CB> CG BJT FET f·(R2∥R1) CE: CS:-8m(ras∥Ra∥RL) (1+B)(R2∥R1)CD: gm(ras∥R∥R1) CC: ve+(1+B)(R∥R 1+gm(rs∥R∥RL) B·(R2∥R1) gm+)(RA∥R) CBa CG: RR 1+ HOME BACKNEXT
5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD 电压增益： CB CG BJT FET be c L ( // ) r R R (1 )( // ) (1 ) ( // ) be e L e L r R R R R be c L ( // ) r R R CE： CC： CB： ( // // ) m ds Rd RL g r 1 ( // // ) ( // // ) m ds L m ds L g r R R g r R R ds d L d L ds m // 1 )( // ) 1 ( r R R R R r g CS： CD： CG：
55各种放大器件电路性能比较 学电信系 输入电阻: BJT FET CE Rb∥ CS:很高 CC:RM[+(1+B)(R∥R)CD:很高 CB: R/- CG:R∥ 1+B g 输出电阻: CE R CS: ∥/R d CC: Rm(R∥R)+rts CDE /R/∥ 1+B 8 CB: R CG:ras∥Ra HOM配E BACKNEXT
b be R //r 输出电阻： Rc // (1 )( // ) b be Re RL R r 1 ( // ) // s b be e R R r R 1 // be e r R Rc BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 很高 m 1 // g R 很高 CE： CC： CB： CS： CD： CG： ds d r // R m ds 1 // // g r R ds d r // R 5.5 各种放大器件电路性能比较
例题 放大电路如图所示。已知 gm=18ms,B=100, T2 电流跟随 3DG4 hn=1k,试求电路的中频 47HFT 47 ks 增益、输入电阻和输出电 Cs146 R 0.47uF R 解 倒相电压放大 5 MS 画中频小信号等效电路 an TU R 4.7Ω Rs BIb R2 HOME BACKNEXT
解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 g m 18 mS ， 100 ， 试求电路的中频 增益、输入电阻和输出电。 rbe 1 k
例题 华中校学电信系 根据电路有 m1 V=V +gmVosr2 R R +Bl =Blb Vs o V=-BbRR-8mVosRo 则电压增益为 8 R 128.6 则A VSM 1+8 R R R.:≈R=5Mg R+R VM R≈R2=20k 128.6 由于R1=R2>>R VM HOM配E end BACKNEXT
例题 gmV gs V i V gs mVgsR2 g I b b I b I V o bRc gmVgsRc I AVM m 2 m c 1 g R g R 128.6 Ri Rg Ro Rc 5 M 则电压增益为 Ri Rg Rs i o V V 由于 则 20 k s o sM V V AV i o s i V V V V M s i i AV R R R M 128.6 AV end 根据电路有
