Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by Zhu hai 载流子浓度很高的导体薄板,此时的电容就像金属层和量子阱层夹住 半导体覆盖层而成的平行板电容一样,由覆盖层厚度、介电常数决定, 故C随V变化十分迟缓,C-V曲线出现平台。 C-V曲线平台是量子阱结构的典型特征。平台的位置主要由覆盖 层厚度、覆盖层参杂浓度决定;平台宽度主要由量子阱的深度、量子 阱参杂浓度和覆盖层厚度决定。当然,温度对CV曲线也有很大影响。 对于多量子阱,不难想象在条件合适的时候会出现多平台。覆盖层厚 度很小或者参杂浓度很低时,也许在零偏压时势垒区已经把量子阱包 含在内。此时加负向偏压将得不到C-V平台,无法探测到量子阱的信 息,但是加正向偏压使势垒区退回到量子阱外则是一种解决方法。覆 盖层厚度很大或者参杂浓度很高时,也许会因为势垒扩散到量子阱处 时电容太小,无法观测到清楚的C-V平台。量子阱的深度越小,量子 阱参杂浓度越小,或者覆盖层厚度越小,量子阱中的载流子就越容易 耗尽,C-V平台宽度就越短。C-V测试除了可以计算获得载流子浓度 分布信息之外,也能定性分析量子阱结构的一些信息。 导纳谱测量法 导纳谱测量方法很早就被提出,当时用于半导体PN结或肖特基 势垒空间电荷区内深能级缺陷的测量硏究。后来发展了导纳谱测量异 质结材料能带偏移(带阶, band offset)的方法。利用此方法可以 测量量子阱结构的激活能。由激活能Ea和费米能级E位置就可以得到 量子阱的带阶。以空穴阱样品为例,价带带阶为 Ea-(e-ev) 8/20Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by ZHU Hai 8 / 20 载流子浓度很高的导体薄板，此时的电容就像金属层和量子阱层夹住 半导体覆盖层而成的平行板电容一样，由覆盖层厚度、介电常数决定， 故 C 随 V 变化十分迟缓，C-V 曲线出现平台。 C-V 曲线平台是量子阱结构的典型特征。平台的位置主要由覆盖 层厚度、覆盖层参杂浓度决定；平台宽度主要由量子阱的深度、量子 阱参杂浓度和覆盖层厚度决定。当然，温度对 C-V 曲线也有很大影响。 对于多量子阱，不难想象在条件合适的时候会出现多平台。覆盖层厚 度很小或者参杂浓度很低时，也许在零偏压时势垒区已经把量子阱包 含在内。此时加负向偏压将得不到 C-V 平台，无法探测到量子阱的信 息，但是加正向偏压使势垒区退回到量子阱外则是一种解决方法。覆 盖层厚度很大或者参杂浓度很高时，也许会因为势垒扩散到量子阱处 时电容太小，无法观测到清楚的 C-V 平台。量子阱的深度越小，量子 阱参杂浓度越小，或者覆盖层厚度越小，量子阱中的载流子就越容易 耗尽，C-V 平台宽度就越短。C-V 测试除了可以计算获得载流子浓度 分布信息之外，也能定性分析量子阱结构的一些信息。 导纳谱测量法 导纳谱测量方法很早就被提出，当时用于半导体 PN 结或肖特基 势垒空间电荷区内深能级缺陷的测量研究。后来发展了导纳谱测量异 质结材料能带偏移（带阶，band offset）的方法。利用此方法可以 测量量子阱结构的激活能。由激活能E 和费米能级E 位置就可以得到 量子阱的带阶。以空穴阱样品为例，价带带阶为： ΔE = E − (E − E )