Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by Zhu hai 载流子浓度分布为P(x),则dW区域内电荷变化为: dQ= gAP(x)dW 其中q为载流子电荷,ⅹ表示界面向半导体侧的纵深距离。由此 得到微分电容: dw C=元=qAP(s)v 按照前面类似于平行板电容的表达式可得: W=EA/C 那么 dw EAdc dv C2 dv 带入微分电容表达式,整理得: qEA dc dV 由于肖特基势垒区随着反向偏压的增大而向半导体内部扩散,因 此改变Ⅴ的大小可以得到不同位置x处的载流子浓度。由于实际情况 中势垒区到电中性区之间不是突变的,所以P(x)的测定有一定的分辨 极限。C-V法测量得到的载流子浓度是x处附近LD=[kTE/q2P(x)]2 范围内的平均值。显然,温度越低测量的精度越高。 对于量子阱结构,阱外的载流子会首先向阱内转移填充。在势垒 区随着反向偏压的增加而扩散到量子阱边缘时,阱外已经完全耗尽; 反向偏压进一步增加,阱内载流子将逐渐耗尽。此时电容随偏压的变 化由量子阱内载流子浓度随偏压的变化决定。量子阱可以想象成一个 7/20Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by ZHU Hai 7 / 20 载流子浓度分布为P( )，则 dW 区域内电荷变化为： dQ = qAP( )dW 其中 q 为载流子电荷，x 表示界面向半导体侧的纵深距离。由此 得到微分电容： C = dQ dV = qAP( ) dW dV 按照前面类似于平行板电容的表达式可得： W = εA C⁄ 那么： dW dV = − εA C dC dV 带入微分电容表达式，整理得： P( ) = C qεA − dC dV 由于肖特基势垒区随着反向偏压的增大而向半导体内部扩散，因 此改变 V 的大小可以得到不同位置 x 处的载流子浓度。由于实际情况 中势垒区到电中性区之间不是突变的，所以P( )的测定有一定的分辨 极限。C-V 法测量得到的载流子浓度是 x 处附近L = [kTε q ⁄ P( )] ⁄ 范围内的平均值。显然，温度越低测量的精度越高。 对于量子阱结构，阱外的载流子会首先向阱内转移填充。在势垒 区随着反向偏压的增加而扩散到量子阱边缘时，阱外已经完全耗尽； 反向偏压进一步增加，阱内载流子将逐渐耗尽。此时电容随偏压的变 化由量子阱内载流子浓度随偏压的变化决定。量子阱可以想象成一个