表1：课程目标与课程内容、毕业要求的对应关系表（五号未体） 课程目标 课程子目标 对应课程内容 对应毕业要求 1.1 从融体中生长单品：硅的悬浮区熔工艺： 3,6 课程目标 1.2 GaAs晶体的生长技术；材料特性 36 1.3 外延；外延层的构造与缺陷；总结 36 2.1 热氧化： 3,6 2.2 介质淀积； 3,6 课程目标2 2.3 多晶硅淀积： 3,6 2.4 原子的激发与电离 3,6 3.1 光学图形臊光； 3,6 3.2 新一代图形曝光技术； 3,6 课程目标3 3.3 湿法化学腐蚀； 3,6 3.4 干法刻蚀： 3,6 3.5 微机电系统；总结 3,6 4.1 基本扩散工艺； 3,6 4.2 非本征扩散，扩散相关工艺： 3,6 课程目标4 4.3 注入离子的分布；注入损伤与退火： 3,6 4.4 注入相关工艺；总结 3,6 5.1 无源器件； 3,6 课程目标5 5.2 双极型晶体管技术： 3.6 5.3 MOSFET技术；MESFET技术； 3,6表 1：课程目标与课程内容、毕业要求的对应关系表 （五号宋体） 课程目标 课程子目标 对应课程内容 对应毕业要求 课程目标 1 1.1 从融体中生长单晶；硅的悬浮区熔工艺； 3,6 1.2 GaAs 晶体的生长技术；材料特性； 3,6 1.3 外延；外延层的构造与缺陷；总结 3,6 课程目标 2 2.1 热氧化； 3,6 2.2 介质淀积； 3,6 2.3 多晶硅淀积； 3,6 2.4 原子的激发与电离 3,6 课程目标 3 3.1 光学图形曝光； 3,6 3.2 新一代图形曝光技术； 3,6 3.3 湿法化学腐蚀； 3,6 3.4 干法刻蚀； 3,6 3.5 微机电系统；总结 3,6 课程目标 4 4.1 基本扩散工艺； 3,6 4.2 非本征扩散，扩散相关工艺； 3,6 4.3 注入离子的分布；注入损伤与退火； 3,6 4.4 注入相关工艺；总结 3,6 课程目标 5 5.1 无源器件； 3,6 5.2 双极型晶体管技术； 3,6 5.3 MOSFET 技术；MESFET 技术； 3,6