技术的基础上，还着重介绍湿法刻蚀尤其是干法刻蚀（即等离子体刻蚀）超高线宽尺度器件 的原理与方法。 课程目标4： 第四章杂质扩散 1.教学内容 杂质渗杂是将数量可控的杂质渗入到半导体中。本章的主要讲授内容：在高温与高浓度 梯度情况下杂质原子在晶格中的运动在恒定扩散系数及与浓度有关的扩散系数下的杂质分 布：横向扩散与杂质再分布对器件的影响；离子注入工艺及优点：品格中的离子分布如何消 除因离子注入而造成的晶格损伤；与离子注入相关的工艺如掩蔽、高能量离子注入及大电流 离子注入等。 2.教学要点 首先让学生了解扩散和离子注入是半导体掺杂的两种方式，也是制造分立器件和集成 电路的彼此互补工艺。由杂质的费克扩散方程推导在恒定表面浓度和恒定杂质总量下杂质的 扩散行为，由此分析实际硅半导体扩散过程中的一些特例以及相关扩散工艺：理解离子注入 半导体中的两种阻止行为，定量分析高能离子在半导体硅中引起的注入损伤情况，及其在器 件尺寸进入深亚微米时常规的离子注入措施等。 课程目标5： 第五章集成器件 1.教学内容 集成电路电阻、电容和电感的涉及与制作；标准双极型晶体管及先进双极型器件的工艺 顺序；MOSFET工艺顺序，其中将特别强调CMOS及存储器器件的工艺顺序；高效的 MESFET和单片微波集成器件的工艺顺序；未来微电子器件所面临的主要挑战，包含超浅 结、超薄氧化层、新的金属连线材料、低功率消耗及隔离问题等。 2.教学要点 通过前面四章内容的讲授，将重点放在MOSFET、CMOSFET以及MESFET等器件的 工艺顺序方面的讲解。最后概括纳电子器件所面临的挑战。 (理求参昭《通高等学按本科去业类学质国家标准》对应业认证标准 注意对毕业要求支撑程度强弱的描述，与“课程目标对毕业要求的支撑关系表一致)（五号 宋体) (三)课程目标与毕业要求、课程内容的对应关系（小四号黑体） 技术的基础上，还着重介绍湿法刻蚀尤其是干法刻蚀（即等离子体刻蚀）超高线宽尺度器件 的原理与方法。 课程目标 4： 第四章 杂质扩散 1. 教学内容 杂质掺杂是将数量可控的杂质掺入到半导体中。本章的主要讲授内容：在高温与高浓度 梯度情况下杂质原子在晶格中的运动；在恒定扩散系数及与浓度有关的扩散系数下的杂质分 布；横向扩散与杂质再分布对器件的影响；离子注入工艺及优点；晶格中的离子分布如何消 除因离子注入而造成的晶格损伤；与离子注入相关的工艺如掩蔽、高能量离子注入及大电流 离子注入等。 2. 教学要点 首先让学生了解扩散和离子注入是半导体掺杂的两种方式，也是制造分立器件和集成 电路的彼此互补工艺。由杂质的费克扩散方程推导在恒定表面浓度和恒定杂质总量下杂质的 扩散行为，由此分析实际硅半导体扩散过程中的一些特例以及相关扩散工艺；理解离子注入 半导体中的两种阻止行为，定量分析高能离子在半导体硅中引起的注入损伤情况，及其在器 件尺寸进入深亚微米时常规的离子注入措施等。 课程目标 5： 第五章 集成器件 1. 教学内容： 集成电路电阻、电容和电感的涉及与制作；标准双极型晶体管及先进双极型器件的工艺 顺序；MOSFET 工艺顺序，其中将特别强调 CMOS 及存储器器件的工艺顺序；高效的 MESFET 和单片微波集成器件的工艺顺序；未来微电子器件所面临的主要挑战，包含超浅 结、超薄氧化层、新的金属连线材料、低功率消耗及隔离问题等。 2. 教学要点： 通过前面四章内容的讲授，将重点放在 MOSFET、CMOSFET 以及 MESFET 等器件的 工艺顺序方面的讲解。最后概括纳电子器件所面临的挑战。 （要求参照《普通高等学校本科专业类教学质量国家标准》，对应各类专业认证标准， 注意对毕业要求支撑程度强弱的描述，与“课程目标对毕业要求的支撑关系表一致）（五号 宋体） （三）课程目标与毕业要求、课程内容的对应关系（小四号黑体）