示介绍提拉法生长其它单晶材料的科研情况等。 2、教学要点 本章的教学重点在于半导体硅和GAs晶体各种不同的生长方法，突出讲授提拉法生长 单品硅和GA5单品体之间的重要差别，重点理解拉品过程中杂质均匀掺杂的分布特性等： 在理解晶体缺陷时着重分析各类缺陷的存在形式以及成因：半导体外延生长方法，如硅的气 相外延（化学气相淀积），金属有机气相淀积和分子束外延生长Ga4s品体等，进而理解晶 格的匹配生长和形变层外延等重要概念。 课程目标2： 1.教学内容 细致讲授MOSFET结构中涉及的四大类满膜的淀积方法以及MOSFET制作工艺，以热 氧化过程生长二氧化硅薄膜：淀积低介电常数和高介电常数的薄膜，并且介绍多品硅薄膜 制作铝和铜导线的淀积技术，并介绍相关的全面性平坦化工艺；最后讲授以上的薄膜特性与 集成电路工艺的相容性情况。补充MOSFET工艺制作流程。 2.教学要点 本章的教学重点在于首先要了解MOSFET内部完整的框架结构，了解要讲授的四大类 薄膜在MOSFET中的具体定位及其作用。理解湿法氧化和干法氧化方法生长二氧化硅薄膜 的形成机理以及在MOSFET中的具体应用；了解常规介质薄膜淀积的基本方法及其相关特 性，掌握高低介电常数材料的具体应用实例；了解多品硅薄膜的制备工艺以及工艺参量对多 品硅薄膜的生长速率、薄层电阻等的影响机制；了解金属薄膜的常规工艺方法以及相关金属 薄膜在MOSFET中的作用；理解铜镀膜工艺中的化学机械抛光原理等。 课程目标3： 第三章图形曝光与刻蚀 1.教学内容 讲授洁净室对图形曝光的重要性；光学图形降光技术与其分辨率的改善技巧和其它图 形曝光技术的优缺点；半导体、绝缘体和金属膜的湿法化学腐蚀机制：高精度图形转移的等 离子体辅助刻蚀方法（干法刻蚀）；利用各向异性刻蚀、牺牲层刻蚀与LGA(图形曝光光刻 技术、电镀和铸模)工艺来制作微机电系统等。补充低温等离子体刻蚀技术与应用。 2.教学要点 图形转移是半导体工艺技术中的重要一环。本章在重点介绍图形隔光和新一代图形噪光示介绍提拉法生长其它单晶材料的科研情况等。 2、教学要点 本章的教学重点在于半导体硅和 GaAs 晶体各种不同的生长方法，突出讲授提拉法生长 单晶硅和 GaAs 单晶体之间的重要差别，重点理解拉晶过程中杂质均匀掺杂的分布特性等； 在理解晶体缺陷时着重分析各类缺陷的存在形式以及成因；半导体外延生长方法，如硅的气 相外延（化学气相淀积），金属有机气相淀积和分子束外延生长 GaAs 晶体等，进而理解晶 格的匹配生长和形变层外延等重要概念。 课程目标 2： 1. 教学内容 细致讲授 MOSFET 结构中涉及的四大类薄膜的淀积方法以及 MOSFET 制作工艺。以热 氧化过程生长二氧化硅薄膜；淀积低介电常数和高介电常数的薄膜，并且介绍多晶硅薄膜； 制作铝和铜导线的淀积技术，并介绍相关的全面性平坦化工艺；最后讲授以上的薄膜特性与 集成电路工艺的相容性情况。补充 MOSFET 工艺制作流程。 2. 教学要点 本章的教学重点在于首先要了解 MOSFET 内部完整的框架结构，了解要讲授的四大类 薄膜在 MOSFET 中的具体定位及其作用。理解湿法氧化和干法氧化方法生长二氧化硅薄膜 的形成机理以及在 MOSFET 中的具体应用；了解常规介质薄膜淀积的基本方法及其相关特 性，掌握高低介电常数材料的具体应用实例；了解多晶硅薄膜的制备工艺以及工艺参量对多 晶硅薄膜的生长速率、薄层电阻等的影响机制；了解金属薄膜的常规工艺方法以及相关金属 薄膜在 MOSFET 中的作用；理解铜镀膜工艺中的化学机械抛光原理等。 课程目标 3： 第三章 图形曝光与刻蚀 1. 教学内容 讲授洁净室对图形曝光的重要性；光学图形曝光技术与其分辨率的改善技巧和其它图 形曝光技术的优缺点；半导体、绝缘体和金属膜的湿法化学腐蚀机制；高精度图形转移的等 离子体辅助刻蚀方法（干法刻蚀）；利用各向异性刻蚀、牺牲层刻蚀与 LIGA（图形曝光光刻 技术、电镀和铸模）工艺来制作微机电系统等。补充低温等离子体刻蚀技术与应用。 2. 教学要点 图形转移是半导体工艺技术中的重要一环。本章在重点介绍图形曝光和新一代图形曝光