5.4 微电子器件的挑战；总结 3.6 (大类基础课程、专业教学课程及开放选修课程按照本科教学手册中各专业拟定的毕业 要求填写“对应毕业要求”栏。通识教有课程含通识修课程、新生研讨课程及公共基础课 程，面向专业为工科、师范、医学等有专业认证标准的专业，按照专业认证通用标准填写“对 应毕业要求”栏：面向其他尚未有专业认证标准的专业，按照本科教学手册中各专业拟定的 毕业要求填写“对应毕业要求”栏。) 三、教学内容（四号黑体） (具体描述各章节教学目标、教学内容等。实验课程可按实验模块描述》 课程目标1： 第一章晶体生长与外延 1、教学内容 使用柴可拉斯基法或提拉法，从熔融的硅液体中生长单晶硅，使用悬浮区熔工艺进一步 提纯单品硅；布里吉曼法生长复合半导体GAs品体，了解硅材料的相关特性，半导体硅以 及GAs的一些外延生长技术，以及涉及到外延层的构造和缺陷等。另外，还将通过PPT展 示介绍提拉法生长其它单晶材料的科研情况等。 2、教学要点 本章的教学重点在于半导体硅和G4s晶体各种不同的生长方法，突出讲授提拉法生长 单晶硅和Ga4s单品体之间的重要差别，重点理解拉品过程中杂质均匀掺杂的分布特性等 在理解晶体缺陷时着重分析各类缺陷的存在形式以及成因；半导体外延生长方法，如硅的气 相外延（化学气相淀积），金属有机气相淀积和分子束外延生长G4s品体等，进而理解品 格的匹配生长和形变层外延等重要概念。 课程目标2： 第二章薄膜淀积 1.教学内容 细致讲授MOSFET结构中涉及的四大类薄膜的淀积方法以及MOSFET制作工艺，以热 氧化过程生长二氧化硅薄膜；淀积低介电常数和高介电常数的薄膜，并且介绍多晶硅薄膜 制作铝和铜导线的淀积技术，并介绍相关的全面性平坦化工艺；最后讲授以上的薄膜特性与 集成电路工艺的相容性情况。补充MOSFET工艺制作流程。 5.4 微电子器件的挑战；总结 3,6 （大类基础课程、专业教学课程及开放选修课程按照本科教学手册中各专业拟定的毕业 要求填写“对应毕业要求”栏。通识教育课程含通识选修课程、新生研讨课程及公共基础课 程，面向专业为工科、师范、医学等有专业认证标准的专业，按照专业认证通用标准填写“对 应毕业要求”栏；面向其他尚未有专业认证标准的专业，按照本科教学手册中各专业拟定的 毕业要求填写“对应毕业要求”栏。） 三、教学内容（四号黑体） （具体描述各章节教学目标、教学内容等。实验课程可按实验模块描述） 课程目标 1： 第一章 晶体生长与外延 1、教学内容 使用柴可拉斯基法或提拉法，从熔融的硅液体中生长单晶硅，使用悬浮区熔工艺进一步 提纯单晶硅；布里吉曼法生长复合半导体 GaAs 晶体，了解硅材料的相关特性，半导体硅以 及 GaAs 的一些外延生长技术，以及涉及到外延层的构造和缺陷等。另外，还将通过 PPT 展 示介绍提拉法生长其它单晶材料的科研情况等。 2、教学要点 本章的教学重点在于半导体硅和 GaAs 晶体各种不同的生长方法，突出讲授提拉法生长 单晶硅和 GaAs 单晶体之间的重要差别，重点理解拉晶过程中杂质均匀掺杂的分布特性等； 在理解晶体缺陷时着重分析各类缺陷的存在形式以及成因；半导体外延生长方法，如硅的气 相外延（化学气相淀积），金属有机气相淀积和分子束外延生长 GaAs 晶体等，进而理解晶 格的匹配生长和形变层外延等重要概念。 课程目标 2： 第二章 薄膜淀积 1. 教学内容 细致讲授 MOSFET 结构中涉及的四大类薄膜的淀积方法以及 MOSFET 制作工艺。以热 氧化过程生长二氧化硅薄膜；淀积低介电常数和高介电常数的薄膜，并且介绍多晶硅薄膜； 制作铝和铜导线的淀积技术，并介绍相关的全面性平坦化工艺；最后讲授以上的薄膜特性与 集成电路工艺的相容性情况。补充 MOSFET 工艺制作流程