2.教学要点 本章的教学重点在于首先要了解MOS℉ET内部完整的框架结构，了解要讲授的四大类 薄膜在MOSFET中的具体定位及其作用。理解湿法氧化和干法氧化方法生长二氧化硅薄膜 的形成机理以及在MOSFET中的具体应用；了解常规介质薄膜淀积的基本方法及其相关特 性，掌握高低介电常数材料的具体应用实例；了解多品硅薄膜的制备工艺以及工艺参量对多 晶硅薄膜的生长速率、薄层电阻等的影响机制：了解金属薄膜的常规工艺方法以及相关金属 薄膜在MOSFET中的作用：理解铜镀膜工艺中的化学机械抛光原理等。 课程目标3： 第三章图形曝光与刻蚀 1.教学内容 讲授洁净室对图形曝光的重要性；光学图形曝光技术与其分辨率的改善技巧和其它图 形曝光技术的优缺点：半导体、绝缘体和金属膜的湿法化学离蚀机制；高精度图形转移的等 离子体辅助刻蚀方法（干法刻蚀）：利用各向异性刻蚀、牺牲层刻蚀与LIG(图形爆光光刻 技术、电镀和铸模)工艺来制作微机电系统等。补充低温等离子体刻蚀技术与应用。 2.教学要点 图形转移是半导体工艺技术中的重要一环。本章在重点介绍图形躁光和新一代图形躁光 技术的基础上，还着重介绍湿法刻蚀尤其是干法刻蚀（即等离子体刻蚀）超高线宽尺度器件 的原理与方法。 课程目标4 第四章杂质扩散 1.教学内容 杂质掺杂是将数量可控的杂质掺入到半导体中。本章的主要讲授内容：在高温与高浓度 梯度情况下杂质原子在晶格中的运动在恒定扩散系数及与浓度有关的扩散系数下的杂质分 布：横向扩散与杂质再分布对器件的影响；离子注入工艺及优点：晶格中的离子分布如何消 除因离子注入而造成的晶格损伤；与离子注入相关的工艺如掩蔽、高能量离子注入及大电流 离子注入等。 2.教学要点 首先让学生了解扩散和离子注入是半导体掺杂的两种方式，也是制造分立器件和集成 电路的彼此互补工艺，由杂质的费克扩散方程推导在恒定表面浓度和恒定杂质总量下杂质的 扩散行为，由此分析实际硅半导体扩散过程中的一些特例以及相关扩散工艺；：理解离子注入2. 教学要点 本章的教学重点在于首先要了解 MOSFET 内部完整的框架结构，了解要讲授的四大类 薄膜在 MOSFET 中的具体定位及其作用。理解湿法氧化和干法氧化方法生长二氧化硅薄膜 的形成机理以及在 MOSFET 中的具体应用；了解常规介质薄膜淀积的基本方法及其相关特 性，掌握高低介电常数材料的具体应用实例；了解多晶硅薄膜的制备工艺以及工艺参量对多 晶硅薄膜的生长速率、薄层电阻等的影响机制；了解金属薄膜的常规工艺方法以及相关金属 薄膜在 MOSFET 中的作用；理解铜镀膜工艺中的化学机械抛光原理等。 课程目标 3： 第三章 图形曝光与刻蚀 1. 教学内容 讲授洁净室对图形曝光的重要性；光学图形曝光技术与其分辨率的改善技巧和其它图 形曝光技术的优缺点；半导体、绝缘体和金属膜的湿法化学腐蚀机制；高精度图形转移的等 离子体辅助刻蚀方法（干法刻蚀）；利用各向异性刻蚀、牺牲层刻蚀与 LIGA（图形曝光光刻 技术、电镀和铸模）工艺来制作微机电系统等。补充低温等离子体刻蚀技术与应用。 2. 教学要点 图形转移是半导体工艺技术中的重要一环。本章在重点介绍图形曝光和新一代图形曝光 技术的基础上，还着重介绍湿法刻蚀尤其是干法刻蚀（即等离子体刻蚀）超高线宽尺度器件 的原理与方法。 课程目标 4： 第四章 杂质扩散 1. 教学内容 杂质掺杂是将数量可控的杂质掺入到半导体中。本章的主要讲授内容：在高温与高浓度 梯度情况下杂质原子在晶格中的运动；在恒定扩散系数及与浓度有关的扩散系数下的杂质分 布；横向扩散与杂质再分布对器件的影响；离子注入工艺及优点；晶格中的离子分布如何消 除因离子注入而造成的晶格损伤；与离子注入相关的工艺如掩蔽、高能量离子注入及大电流 离子注入等。 2. 教学要点 首先让学生了解扩散和离子注入是半导体掺杂的两种方式，也是制造分立器件和集成 电路的彼此互补工艺。由杂质的费克扩散方程推导在恒定表面浓度和恒定杂质总量下杂质的 扩散行为，由此分析实际硅半导体扩散过程中的一些特例以及相关扩散工艺；理解离子注入