半导体中的两种阻止行为，定量分析高能离子在半导体硅中引起的注入损伤情况，及其在器 件尺寸进入深亚微米时常规的离子注入措施等。 课程目标5： 第五章集成器件 1.教学内容： 集成电路电阻、电容和电感的涉及与制作；标准双极型晶体管及先进双极型器件的工艺 顺序；MOSFET工艺顺序，其中将特别强调CMOS及存储器器件的工艺顺序；高效的 ME$FET和单片微波集成器件的工艺顺序；未来微电子器件所面临的主要挑战，包含超浅 结、超薄氧化层、新的金属连线材料、低功率消耗及隔离问题等。 2.教学要点 通过前面四章内容的讲授，将重点放在MOSFET、CMOSFET以及MESFET等器件的 工艺顺序方面的讲解。最后概括纳电子器件所面临的挑战。 四、学时分配（四号黑体） 表2：各章节的具体内容和学时分配表（五号宋体） 章节 章节内容 学时分配 第一章晶体生 从融体中生长单品：硅的悬浮区熔工 艺；GaAs晶体的生长技术；材料特 长与外延 性；外延；外延层的构造与缺陷；总结 第二章薄膜淀 热氧化；介质淀积；多品硅淀积；金属 积 化；总结 8 第三章图形臊 光学图形曝光；新一代图形曝光技术 湿法化学腐蚀；干法刻蚀：微机电系 8 光与刻蚀 统；总结 第四章杂质掺 基本扩散工艺；非本征扩散，扩散相关 0 杂 工艺；注入离子的分布；注入损伤与退 火：注入相关工艺总结 第五章集成器 无源器件；双极型晶体管技术；MOSFET 件 技术；MESFET技术；微电子器件的挑 战；总结 半导体中的两种阻止行为，定量分析高能离子在半导体硅中引起的注入损伤情况，及其在器 件尺寸进入深亚微米时常规的离子注入措施等。 课程目标 5： 第五章 集成器件 1. 教学内容： 集成电路电阻、电容和电感的涉及与制作；标准双极型晶体管及先进双极型器件的工艺 顺序；MOSFET 工艺顺序，其中将特别强调 CMOS 及存储器器件的工艺顺序；高效的 MESFET 和单片微波集成器件的工艺顺序；未来微电子器件所面临的主要挑战，包含超浅 结、超薄氧化层、新的金属连线材料、低功率消耗及隔离问题等。 2. 教学要点： 通过前面四章内容的讲授，将重点放在 MOSFET、CMOSFET 以及 MESFET 等器件的 工艺顺序方面的讲解。最后概括纳电子器件所面临的挑战。 四、学时分配（四号黑体） 表 2：各章节的具体内容和学时分配表（五号宋体） 章节 章节内容 学时分配 第一章 晶体生 长与外延 从融体中生长单晶；硅的悬浮区熔工 艺；GaAs 晶体的生长技术；材料特 性；外延；外延层的构造与缺陷；总结 8 第二章 薄膜淀 积 热氧化；介质淀积；多晶硅淀积；金属 化；总结 8 第三章 图形曝 光与刻蚀 光学图形曝光；新一代图形曝光技术； 湿法化学腐蚀；干法刻蚀；微机电系 统；总结 8 第四章 杂质掺 杂 基本扩散工艺；非本征扩散，扩散相关 工艺；注入离子的分布；注入损伤与退 火；注入相关工艺；总结 8 第五章 集成器 件 无源器件；双极型晶体管技术；MOSFET 技术；MESFET 技术；微电子器件的挑 战；总结 4