五、教学进度（四号黑体） 表3：教学进度表（五号宋体） 周次 日期章节名称内容提要授课时数作业及要求备注 半导体概述 1.1 从融体中生 2 完成章节后对 应作业 长单晶 硅的悬浮区 2 1.3 熔工艺 2 完成章节后对 GaAs晶体的 应作业 生长技术 材料特性】 1.4 外延；外延 2 完成章节后对 层的构造与 应作业 缺陷 作业讲解 2 作业完善+提 完成章节后对 2.1 热氧化： 2 应作业 2.2 介质淀积 2 完成各章节对 应作业 多晶硅淀 完成各章节对 积：金属 2 应作业 作业讲解 作业完善+提 2 间 3.1 光学图形 2 完成各章节对 应作业 新一代图形 3.2 完成各章节对 2 强光技术 应作业五、教学进度（四号黑体） 表 3：教学进度表（五号宋体） 周次 日期 章节名称 内容提要 授课时数 作业及要求 备注 1 1.1 半导体概述 从融体中生 长单晶 2 完成章节后对 应作业 2 1.3 硅的悬浮区 熔工艺； GaAs 晶体的 生长技术 2 完成章节后对 应作业 3 1.4 材料特性； 外延；外延 层的构造与 缺陷 2 完成章节后对 应作业 4 作业讲解 2 作业完善+提 问 5 2.1 热氧化； 2 完成章节后对 应作业 6 2.2 介质淀积 2 完成各章节对 应作业 7 2.3 多晶硅淀 积；金属 2 完成各章节对 应作业 8 作业讲解 2 作业完善+提 问 9 3.1 光学图形曝 光 2 完成各章节对 应作业 10 3.2 新一代图形 曝光技术 2 完成各章节对 应作业