点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
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杂质全部电离: n=V,(x)=n,eer-E灯 E 1 dE kT dNp(x) g dx qNp(x) dx 非均匀掺杂半导体施主杂质分布和能带图 1018 Ec 104 Er 1020 Ev x=0 x=0 E E kT D i F i n N x n e dx dN x qN x kT dx dE q E D D i 1 杂质全部电离: 非均匀掺杂半导体施主杂质分布和能带图
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