点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
正在加载图片...
1、非均匀掺杂形成双极晶体管加速电场 N+ P N 杂质浓度分布图: 基区能带图 Nr(x) Ec (x) Ef Ev1、非均匀掺杂形成双极晶体管加速电场 杂质浓度分布图: N x B 0 jC x 0 jE x xjE xjC x N x E NC P N N 基区能带图
<<向上翻页
向下翻页>>
点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有