§3.3CMOS门电路 漏极特性曲线（分三个区域） (1)截止区：'cs<VGs ip=0,ROFF 10% 5V (2)恒流区：s>'Gs-VGs>0 4V iD基本上由vcs决定，与yns关系不大 3V VGs=2V ip=Ins(Ys1),ps=ip VDS Vas(h) (3)可变电阻区：'Gs-Vcsh>vDs>0 ,与ns的比值近似为常数Rvs0 2K(Vcs-VGs(h) 2017-8-4 第三章门电路 13 §3.3CMOS门电路 三、MOS管的基本开关电路 Rp D P(B) 因为RoFF>102,RoN<IK2,只要RN<RD<RoFr,则： 当y,='VL<Vas→MOS管截止→o=VoH≈'0 当y,=VH>Vsw→MOS管导通→vo=VL≈0 所以MOS管D-S间相当于一个受y,控制的开关。 2017-8-4 第三章门电路 142017-8-4 第三章 门电路 13 §3.3 CMOS门电路 漏极特性曲线（分三个区域） （1）截止区：vGS<VGS(th) （2）恒流区： vDS > vGS–VGS(th) > 0 2 ( ) 2 ( ) ( 1) , | GS VGS th DS D v GS th GS D DS I i V v i I = − = = iD = 0, ROFF > 109Ω iD 基本上由vGS决定，与vDS关系不大 （3）可变电阻区： vGS–VGS(th) >vDS > 0 2 ( ) 1 ( ) 0 GS GS th ON v K v V R DS − i ≈ = D 与vDS的比值近似为常数 2017-8-4 第三章 门电路 14 因为 ROFF >109 Ω, RON <1KΩ,只要RON << RD << ROFF ,则： §3.3 CMOS门电路 三、MOS管的基本开关电路 I IL GS th O VOH VDD 当v =V <V ( ) ⎯⎯→MOS管截止 ⎯⎯→v = ≈ 当vI =VIH >VGS (th) ⎯⎯→MOS管导通 ⎯⎯→vO =VOL ≈ 0 所以 MOS管D − S间相当于一个受 vI 控制的开关