§3.3 CMOS门电路 3.3.1M0S管的开关特性 一、 MOS管的结构和工作原理（以N沟道增强型为例） UDS 标准符号 简化符号 SiO2 G D P型衬底(B) G:栅极；S:源极；D:漏极；B:衬底 当加yDs时， vcs=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上正电压ycs,且足够大至vcs>Vcs,D-S间形成导电沟道 2017-8-4 第三章门电路 §3.3 CMOS门电路 二、MOS管的输入特性和输出特性 1输入特性 2输出特性：iD=f(Ds)对应不同的vcs下的一族曲线。 iD ip 5V UDS AV 3V VGs=2V VDS (a) (b) 2017-8-4 第三章门电路 122017-8-4 第三章 门电路 11 §3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管的开关特性 G ：栅极；S：源极；D ：漏极；B :衬底 一、MOS管的结构和工作原理（以N沟道增强型为例） 当加vDS时， vGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上正电压vGS，且足够大至vGS >VGS (th), D-S间形成导电沟道 2017-8-4 第三章 门电路 12 §3.3 CMOS门电路 二、MOS管的输入特性和输出特性 1 输入特性 2 输出特性： iD = f (vDS) 对应不同的vGS下的一族曲线