电子束E, ■背散射电子，大于50eV: lnm酸繁电子 ■ 二次电子，小于50eV,大部分在2~3eV: 二次电子(5一50m ■吸收电子，不能逸出样品表面的电子： ■透射电子，弹性散射，等于或接近入射电子能量 臂散射电子 ■特征X射线，(0.1keV-14ke) 特征X射线 一连候X射线 一二次荧光 斯散射电了 空闻分隔 X射线分牌 √背散射电子，二次电子和透射电子，主要应用于扫描电镜和透射电镜，特征X射线可应用于X射线波谱仪、能 谱仪，电子探针等，俄歇电子可应用于俄歇电子能谱仪，吸收电子也可应用于扫描电镜，形成吸收电子像。 √背散射电子能量很高，穿透能力比二次电子强得多，可以从样品较深的区域逸出（约为有效穿透深度的30% 左右)。在这样的深度范围，入射电子已经有了相当宽度的侧向扩展。在样品上方检测到的背散射电子是来 自比二次电子大得多的体积，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，一般在50-200m左右。至于吸收 电子、X射线信号来自整个电子激发体积，使所得到的扫描像的分辨率更低，一般在100m或μm以上。 信号 二次电子 背散射电子 吸收电子 特征X射线 俄歇电子 分辨率(nm) 5~10 50-200 100~1000 100~1000 5-10 背散射电子，大于50eV；  二次电子，小于50eV，大部分在2~3eV；  吸收电子，不能逸出样品表面的电子；  透射电子,弹性散射，等于或接近入射电子能量  特征X射线，(0.1keV-14keV)  背散射电子，二次电子和透射电子，主要应用于扫描电镜和透射电镜，特征X射线可应用于X射线波谱仪、能 谱仪，电子探针等，俄歇电子可应用于俄歇电子能谱仪，吸收电子也可应用于扫描电镜，形成吸收电子像。  背散射电子能量很高，穿透能力比二次电子强得多，可以从样品较深的区域逸出（约为有效穿透深度的30％ 左右）。在这样的深度范围，入射电子已经有了相当宽度的侧向扩展。在样品上方检测到的背散射电子是来 自比二次电子大得多的体积，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，一般在50-200nm左右。至于吸收 电子、X射线信号来自整个电子激发体积，使所得到的扫描像的分辨率更低，一般在100nm或lμm以上。 信号 二次电子 背散射电子 吸收电子 特征X射线 俄歇电子 分辨率（nm） 5~10 50~200 100~1000 100~1000 5~10