律。为了便于分析,通常令输入电匝Vn(t)是一个幅度为V的理想方波,输出电压 的高、低电平分别是Vm和Va 下面讨论CMoS倒相器的瞬态特性。当倒相器输入电压在t1、t时刻发生阶跃变 化时,负载电容Cu,放电与充电的电路和波形图如图3-13所示。在放电时, 由图3-13(a)所示电路图可写出 IDN =IDP + IcAp (3-25) 这是PMOS管截止,I=0,所以: t,= dt=-C (3-27) 输出电压vout从VOH下降到VL期间,NMos管经历了饱和与非饱和两个工作区, 分别对应tn和tn。根据饱和与非饱和区的晶体管电流方程,有 (3-28) B (3-29) VoM-ImN BN oH -V ) out 利用积分表,可求得下降时间tr I=I/+i 式中 (3-31) B、(V1-Vn 当电源电压VDD通过PMOS管对Cout充电时,vin=0,MMOS管截止.在此期律。为了便于分析，通常令输入电匝Vin(t)是一个幅度为VOH的理想方波，输出电压 的高、低电平分别是VOH和VOL。 下面讨论CMOS倒相器的瞬态特性。当倒相器输入电压在t1、t2时刻发生阶跃变 化时，负载电容Cout，放电与充电的电路和波形图如图 3-13 所示。在放电时， 由图 3-13(a)所示电路图可写出： dt dV CIIII out DN DP CAP DP −=+= out (3-25) 这是PMOS管截止，IDP=0,所以： dt dV CI out DN −= out (3-26) ∫∫ −== OL OH V V outDN out out t t f VI dV Cdtt )( 2 1 (3-27) 输出电压Vout从VOH下降到VOL期间，NMOS管经历了饱和与非饱和两个工作区， 分别对应tf1和tf2。根据饱和与非饱和区的晶体管电流方程，有； ( ) ∫ − − −= TNOH OH VV V OH TN N out f out VV dV Ct 2 1 2 β (3-28) ( ) ∫ − ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ −− −= OL TNOH V VV out OHN outTN out f out V VVV dV Ct 2 2 2 β (3-29) 利用积分表，可求得下降时间tf ( ) ⎭ ⎬ ⎫ ⎩ ⎨ ⎧ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ − − + − =+= 1 ||2 ln 2 0 1 1 21 V VV VV V ttt TP TN TN nfff τ (3-30) 式中 ( ) N TN out n VV C − = β 1 τ (3-31) 当电源电压 VDD 通过 PMOS 管对 Cout 充电时，Vin=0，NMOS 管截止．在此期