当X=1时,可求得 5D-5|1mp|+3 在B=B,和Vn=VP[的条件下 (3-23) 2 3.2.2瞬态特性 倒相器的瞬态特性是研究倒相器输入电压随时间变化时其输出电压的变化规 L <a) (6) 图3-13CMOS倒相器瞬态特性(a)放电过程 (b)充电过程当 X=1 时，可求得： 8 3||55 DD TP TN IH VVV V − + = (3-22) 在βn=βp和VTN=VTP[的条件下： ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ IL TN += VVV DD 2 3 4 1 (3-23) ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ VIH = DD −VV TN 2 5 4 1 (3-24) 3.2.2 瞬态特性 倒相器的瞬态特性是研究倒相器输入电压随时间变化时其输出电压的变化规 图 3-13 CMOS 倒相器瞬态特性 （a）放电过程 (b)充电过程