1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是 [] A.饱和漏极电流Iss B.低频跨导g, C.开启电压 D.夹断电压n 1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是 ] A多子 B少子 C多子和少子 D多子或少子 1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 「1 A发射结正偏，集电结正偏 B发射结正偏，集电结反偏 发射结反偏，集电结反偏 D发射结反偏，集电结正偏 1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、…)。 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子 的浓度则与有很大关系，(a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺 陷) 2、当P州结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层一。当 PW结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层一。(a.大于，b.小 于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变) 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数B,反向饱和电流Im, 正向结电压U 。(a.变大，d.变小，c.不变) 4、温度升高时，品体管的共射输入特性曲线将一，输出特性曲线将 而且输出特性曲线之间的间隔将一。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e. 增大，￡减小，g.不变) 1.22用大于号（◇）、小于号(《)或等号(=)填空： 1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度： 2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度： 3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。 1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。( 2、在N型半导体中，摻入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。() 3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。( 4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。() 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。() 1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是 [ ] A.饱和漏极电流 IDSS B.低频跨导 gm C.开启电压 UT D.夹断电压 UP 1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是 [ ] A 多子 B 少子 C 多子和少子 D 多子或少子 1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 [ ] A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏 1.21 选择括号中的答案填空（只填答案 a、b、c、……）。 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子 的浓度则与 有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺 陷） 2、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。(a.大于，b.小 于，c.等于，d.变宽，e.变宽 f.不变) 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β ，反向饱和电流 ICBO ， 正向结电压 UBE 。(a.变大，d.变小，c.不变) 4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ， 而且输出特性曲线之间的间隔将 。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e. 增大，f.减小，g.不变) 1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空： 1、在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度； 2、在 P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度； 3、在 N 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。 1、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为 P 型半导体。（ ） 3、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 4、PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）