1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流I将 [] A.增大 B减少 C.不变 D.不能确定 1.9下列选项中，不属三极管的参数是 [] A.电流放大系数B B.最大整流电流I, C.集电极最大允许电流Ia D.集电极最大允许耗散功率P。 1.10温度升高时，三极管的B值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11在N型半导体中，多数载流子是 [] A.电子B.空穴C离子D.杂质 1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [] A正向电阻小反向电阻大 B.正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D.正向电阻反向电阻都大 1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电 路中的电流I等于 ] A.0.1 mA B.2.5mA C.5mA D.15 mA 101 图1.13 1.14在P型半导体中，多数载流子是 1 A.电子 B.空穴 C.离子 D.杂质 1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是 [] A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点： B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET: C场效应窄 作时 少子均参与导电 D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [] A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区 1.17表征场效应管放大作用的重要参数是 [] A.电流放大系数B B.跨导g=△I/△Ue C.开启电压 D.直流输入电阻Rs1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流 ICBO将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不属三极管的参数是 [ ] A.电流放大系数β B.最大整流电流 IF C.集电极最大允许电流 ICM D.集电极最大允许耗散功率 PCM 1.10 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11 在 N 型半导体中，多数载流子是 [ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 1.13 在如图 1.13 所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为 0.1 mA, 反向击穿电压为 25V 且击穿后基本不随电流而变化，这时电 路中的电流 I 等于 [ ] A. 0.1 mA B. 2.5mA C. 5mA D. 15 mA 图 1.13 1.14 在 P 型半导体中，多数载流子是 [ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是 MOSFET 和 JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [ ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是 [ ] A.电流放大系数β B.跨导 gm=ΔID/ΔUGS C.开启电压 UT D.直流输入电阻 RGS