第一章常用半导体器件 1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体 管的类型是 [] A.NPN型硅管 B. PNP型硅管 C.NPN型锗管 图1.1 2v 6v D.PNP型锗管 1.3V 1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[] A.饱和 +6v B.放大 C.截止 图1.2 D.已损坏 .3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整 到V=1OV,则电流的大小将是 [] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 图1.3 1.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20℃时测得二极管的电压 Uw=0.7V。当温度上生到为40℃时，则的大小将是 A.仍等于0.7V B.大于0.7V C.小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A.温度 B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷 1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 A.Iao B.Ics C.Io D.Ico 1.7二极管的主要特性是 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 第一章 常用半导体器件 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图 1.1 所示，该晶体 管的类型是 [ ] A. NPN 型硅管 B. PNP 型硅管 C. NPN 型锗管 图 1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图 1-2 所示，可判断其工作状态是[ ] A. 饱和 B. 放大 C. 截止 图 1.2 D. 已损坏 1.3 在如图 1.3 所示电路中，当电源 V=5V 时，测得 I=1mA。若把电源电压调整 到 V=10V，则电流的大小将是 [ ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 图 1.3 1.4 在如图 1-7 所示电路中电源 V=5V 不变。当温度为 20O C 时测得二极管的电压 UD=0.7V。当温度上生到为 40O C 时,则 UD 的大小将是 [ ] A.仍等于 0.7V B.大于 0.7V C. 小于 0.7V D.不能确定 图 1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.ICBO B.ICES C.ICER D.ICEO 1.7 二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性