D0I:10.13374/i.issn1001-053x.1992.01.021 北京科技大学学报 第14卷第4期 Vol,14No.4 1992年7月 Journal of University of Science and Technololgy Beijing July 1992 低温生长金刚石薄膜及其界 面结构X一射线衍射研究+ 吕反修·蒋高松·杨保雄 摘要：采用区射线衍射（包括小角度衍射方法）研究了低温气相生长金刚石薄膜和单品 硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过波层为口-SiC,在较低沉积温度 范围(80-290)℃过诚层则由a-SiC和SiO:所构成。对界面层中a-SiC和SiO:的晶体结 构以及金刚石薄膜面间距进行了讨论。 关键词：金刚石薄膜，低温沉积，界面过度层，X-射线行射 X-Ray Diffraction Study of the Interface Layer of Low Temperature Deposited Diamond Films Lu Fanxiu'Jiang Gaosong'Yang Baoxiong' ABSTRACT:The constituent and the structure of the interface layer between the low temperature deposited diamond films and the single crystal silicon sub- strate was studed by X-ray diffraction (including small angle diffraction) technique,It was found that the interface layer for diamond film deposited at 700C was a-SiC.At lower temperature range (580-290)C,the interface layer was composed of a-SiC and SiO2.Crystal structure of a-SiC and SiOz,and the d-spacings of the diamond films were discussed. KEY WORDS:diamond films,low temperature deposition,interface layer,X-ray diffraction 1992-03-23收稿 +高技术新材料领域专家委员会资助项目，代号715-03-02-02 ◆材料科学与工程系(Department of Materials Science and Enginccring) 423第刊卷第 期 年 月 北 京 科 技 大 学 学 报 ， 二 ， 。 。 低温生长金刚石薄膜及其界 面 结构 一 射线衍射研究 吕反修 ‘ 蒋高松 ‘ 杨保雄 ’ 摘 要 采用 一 射线衍射 包括小角度衍射方法 研 究 了低温气 相生长金刚石 薄膜和单 晶 硅 衬底 之间的界面过度层 。 发现在较高温度下 了。 。 ℃ 过 渡层 为 一 ， 在较低 沉 积温度 范 围 一 ℃ 过渡层则由 一 和 所构成 。 对界面层中 一 和 的 晶体结 构以及 金刚石薄膜面间距进行了讨论 。 关健词 金刚石 薄膜 ， 低温沉 积 ， 界面 过 度层 ， 一 射线 衍射 一 浑 盛 夕 了 一 亡 曲 往 ℃ 一 。 “ 一 ℃ ， 一 。 一 ， 一 ， ， 住 ， 一 一 一 收稿 高技术新 材料领域专家委 员会资助项 目 ， 代号 一 。 一 。 材料科学 与工程系 DOI ：10．13374／j ．issn1001－053x．1992．04．021