第二章缩小到纳米尺寸的CMOS器件面 临的挑战 一、尺寸缩小的限制 几十年来，CMOS IC一直遵循摩尔定律不断发展，美国半导体工 业协会预测，到2010年，器件特征尺寸将缩小到70nm以下， 研究进人纳米尺度的CMOS器件面临的技术挑战和物理问题已 成为当前迫切而重要的研究课题。 表1传统MOS器件的几个重要缩小极限 Tab.1 Fundamental scaling limits on conventional MOS devices Feature Tax/nm Xi/nm VT/V SDE/nm LE/pm Lg/um Limit 2.3 30 0.25 15 0.06 0.10 Leakage Resistance Leakage Resistance Leakage Leakage Reason (IGATE RsDE） (IoFF】 (RINV) (IOFF) (IOFF)一、尺寸缩小的限制 几十年来，CMOS IC一直遵循摩尔定律不断发展,美国半导体工 业协会预测，到2010年，器件特征尺寸将缩小到70nm以下， 研究进人纳米尺度的CMOS器件面临的技术挑战和物理问题已 成为当前迫切而重要的研究课题。 第二章 缩小到纳米尺寸的 CMOS器件面 临的挑战