1前驱体挥发性( precursor volatility) 根据经验,为了获得合理的沉积速率(几百纳米/分钟),在输送温度下 的蒸气压至少100 mTorr 尽可能低的基体温度 矛盾窄的温度范围→ 高的沉积谏率·高的前驱体加热温度 产生部分热分(离)解 改变前驱体输送速率、薄膜性能、 不可重复生产结果等1.前驱体挥发性（precursor volatility） 根据经验，为了获得合理的沉积速率（几百纳米/分钟），在输送温度下 的蒸气压至少100mTorr。 尽可能低的基体温度 矛盾 窄的温度范围 高的沉积速率 高的前驱体加热温度 产生部分热分（离）解 改变前驱体输送速率、薄膜性能、 不可重复生产结果等