242前驱体的要求( precursor requirement) 用于含金属薄膜( metal- containing films)cVD 的含金属化合物 metal- containing compounds) 应有的基本性能 1)在不产生热分解的温度下具有合理的蒸气压 have a reasonable vapor pressure 2应在一种可控制的方式下产生热分解,以便所 产生的薄膜具有所希望的成分、形态和纯度。2.4.2 前驱体的要求(precursor requirement) 用于含金属薄膜（metal-containing films）CVD 的含金属化合物(metal-containing compounds) 应有的基本性能： 1）在不产生热分解的温度下具有合理的蒸气压 （have a reasonable vapor pressure）; 2)应在一种可控制的方式下产生热分解，以便所 产生的薄膜具有所希望的成分、形态和纯度