雪体物理学黄尾第七章半辱体电予论20050406 §72半导体中的杂质 理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质,半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中 的空穴 XCHo700001 Conducting band E 对纯的半导体材料掺入适当的杂质,也能提供载流子。因此实际的半导体中除了与能带对应的电子 共有化状态以外,还有一些电子可以为杂质或者缺陷原子所束缚,束缚电子具有确定的能级,杂质 能级位于带隙中接近导带的位置,在一般温度下即可被激发到导带中,从而对半导体的导电能力产 生大的影响。 设想一个第Ⅳ族元素Ge(4价元素)被一个第V族元素As(5价元素)所取代的情形,As原子和 近邻的Ge原子形成共价键后尚剩余一个电子。如图XCH00700001~02所示。 XCH00700005 、國,國,⑤ ° XCH00700006 XCH00700008 ⑥③⑥ REVISED TIME: 0S-5-2 CREATED BY XCH固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论_20050406 §7.2 半导体中的杂质 理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质，半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中 的空穴。 对纯的半导体材料掺入适当的杂质，也能提供载流子。因此实际的半导体中除了与能带对应的电子 共有化状态以外，还有一些电子可以为杂质或者缺陷原子所束缚，束缚电子具有确定的能级，杂质 能级位于带隙中接近导带的位置，在一般温度下即可被激发到导带中，从而对半导体的导电能力产 生大的影响。 设想一个第 IV 族元素 Ge（4 价元素）被一个第 V 族元素 As（5 价元素）所取代的情形，As 原子和 近邻的 Ge 原子形成共价键后尚剩余一个电子。如图 XCH007_000_01~02 所示。 REVISED TIME: 05-5-23 - 1 - CREATED BY XCH