雪体物理学黄尾第七章半辱体电予论20050406 共价键是一种相当强的化学键,束缚在共价键上的电子能量很低,从能带的角度来说,就是处 于价带中的电子。 多余一个电子受到As离子静电吸引,其束缚作用是相当微弱的,在能带图中,它位于带隙之 中,且非常接近导带底,如图XCH00700010所示。 这个电子只要吸收很小的能量,就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。 如图ⅹCH00700003~09所示。一个第ⅣV族元素Si(4价元素)被一个第Ⅲ族元素B(3价元素) 所取代的情形,B原子和近邻的Si原子形成共价键后尚缺一个电子,附近Si原子价键上的电子不需 要增加多少能量便可以容易地来填补B原子周围价键的空缺,这样就在价带中形成一个空穴,B原 子也因此成为负离子。在能带图中,空穴的能量位于带隙之中,且非常接近价带顶。如图 XCH00700011所示。 XCH070000 XCHD03 000 II onducting band 。。(。。③、⑥、 E 8④8國 Filled band 施主和受主 根据掺杂元素对导电的不同影响,杂质态可分为两种类型。 1)施主 杂质在带隙中提供带有电子的能级,能级略低于导带底的能量,和价带中的电子相比较,很容易激 发到导带中 电子载流子。如图ⅩCH00700301所示。 T=0 T>0 T=0 T>0 Conducting band onducting band donor A Filled band Filled band XCH00700301 XCH00700302 REVISED TIME: 0S-5-2 CREATED BY XCH固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论_20050406 —— 共价键是一种相当强的化学键，束缚在共价键上的电子能量很低，从能带的角度来说，就是处 于价带中的电子。 —— 多余一个电子受到As+ 离子静电吸引，其束缚作用是相当微弱的，在能带图中，它位于带隙之 中，且非常接近导带底，如图XCH007_000_10 所示。 —— 这个电子只要吸收很小的能量，就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。 如图 XCH007_000_03~09 所示。一个第 IV 族元素 Si（4 价元素）被一个第 III 族元素 B（3 价元素） 所取代的情形，B 原子和近邻的 Si 原子形成共价键后尚缺一个电子，附近 Si 原子价键上的电子不需 要增加多少能量便可以容易地来填补 B 原子周围价键的空缺，这样就在价带中形成一个空穴，B 原 子也因此成为负离子。在能带图中，空穴的能量位于带隙之中，且非常接近价带顶。如图 XCH007_000_11 所示。 1. 施主和受主 根据掺杂元素对导电的不同影响，杂质态可分为两种类型。 1） 施主 杂质在带隙中提供带有电子的能级，能级略低于导带底的能量，和价带中的电子相比较，很容易激 发到导带中 —— 电子载流子。如图 XCH007_003_01 所示。 REVISED TIME: 05-5-23 - 2 - CREATED BY XCH