§4.1硅工艺概述 © ●集成电路加工的基本操作 >形成某种材料的薄膜 >在各种薄膜材料上形成需要的图形 >通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 形成薄膜的方法 ◆热氧化 ◆物理气相淀积(PVD) ◆化学气相淀积(CVD) §4.2.1二氧化硅 Si0,称为石英玻璃，电阻率约为10122cm 。 Si02是一种极好的电绝缘体 SiO,能很好地附着在大多数材料上 SO,可生长在硅圆片上或淀积在硅圆片上面 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 62018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 5 §4.1 硅工艺概述 z集成电路加工的基本操作 ¾形成某种材料的薄膜 ¾在各种薄膜材料上形成需要的图形 ¾通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 6 • SiO2称为石英玻璃，电阻率约为1012Ω·cm • SiO2是一种极好的电绝缘体 • SiO2能很好地附着在大多数材料上 • SiO2可生长在硅圆片上或淀积在硅圆片上面 §4.2.1 二氧化硅 §4.2 材料生长与淀积 形成薄膜的方法 ‹热氧化 ‹物理气相淀积（PVD） ‹化学气相淀积（CVD）