中国绅学我术大学 University of Science and Technology of China 第4章CMOS集成电路的制造 本章目录 4.1硅工艺概述 4.2材料生长与淀积 4.3刻蚀 4.4CMOS工艺流程 4.5设计规则 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.1硅工艺概述 ●平面工艺，多层加工 Diameter ●以硅圆片为单位制作 Wafer- 硅圆片及其芯片部位 Die sites 圆片的直径：100-300mm 圆片的厚度：0.40.7mm Flat Figure 4.1 Silicon wafer showing die sites 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 2
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 1 第 4 章 CMOS集成电路的制造 集成电路的制造 本章目录 •4.1 硅工艺概述 •4.2 材料生长与淀积 •4.3 刻蚀 •4.4 CMOS工艺流程 •4.5 设计规则 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 2 §4.1 硅工艺概述 硅圆片及其芯片部位 圆片的直径：100~300mm 圆片的厚度：0.4~0.7mm z平面工艺，多层加工 z以硅圆片为单位制作
§4.1硅工艺概述 ●集成电路成本 (1)固定成本 固定成本与销售量无关。包括基础设施和生产设备的建设费用； 研发费用；人工费用等。 (2)可变成本 可变成本是指直接用于制造产品的费用，与产品的产量成正比。 可变成本=芯片成本+芯片测试成本+芯片封装成本 最终测试的成品率 每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+ 固定成本 产量 经济学观点：提高成品率将降低每个集成电路的成本，因此成 品率分析很重要。 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.1硅工艺概述 19 ●成品率Y Y= Na×100% N。:功能正确的芯片数目 Ni N:芯片的总数目 π(d/2)2 πd Ac:芯片面积 Adie Ade d:圆片直径 Y=(1+ D×Aae)a D:缺陷密度，单位：cm2 :与制造工艺复杂性相关的参数 对于现代复杂的CMOS工艺，a≈3 芯片成本= 圆片成本 三芯片成本=f(芯片面积) NG 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 3 §4.1 硅工艺概述 z集成电路成本 最终测试的成品率 芯片成本 芯片测试成本 芯片封装成本 可变成本 + + = 产量 固定成本 每个集成电路的成本 = 每个集成电路的可变成 本 + （1）固定成本 固定成本与销售量无关。包括基础设施和生产设备的建设费用； 研发费用；人工费用等。 （2）可变成本 可变成本是指直接用于制造产品的费用，与产品的产量成正比。 经济学观点：提高成品率将降低每个集成电路的成本，因此成 品率分析很重要。 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 4 §4.1 硅工艺概述 z成品率Y = ×100% T G N N Y die die T A d A d N 2 ( 2 2 π π = − ） α α × − = (1+ ) D Adie Y NG 圆片成本 芯片成本 = ：芯片的总数目 ：功能正确的芯片数目 T G N N ：圆片直径 ：芯片面积 d Adie CMOS 3 cm 2 ≈ − α α 对于现代复杂的 工艺， ：与制造工艺复杂性相关的参数 D：缺陷密度，单位： 4 ⇒ 芯片成本 = f (芯片面积)
§4.1硅工艺概述 © ●集成电路加工的基本操作 >形成某种材料的薄膜 >在各种薄膜材料上形成需要的图形 >通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 形成薄膜的方法 ◆热氧化 ◆物理气相淀积(PVD) ◆化学气相淀积(CVD) §4.2.1二氧化硅 Si0,称为石英玻璃，电阻率约为10122cm 。 Si02是一种极好的电绝缘体 SiO,能很好地附着在大多数材料上 SO,可生长在硅圆片上或淀积在硅圆片上面 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 6
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 5 §4.1 硅工艺概述 z集成电路加工的基本操作 ¾形成某种材料的薄膜 ¾在各种薄膜材料上形成需要的图形 ¾通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 6 • SiO2称为石英玻璃，电阻率约为1012Ω·cm • SiO2是一种极好的电绝缘体 • SiO2能很好地附着在大多数材料上 • SiO2可生长在硅圆片上或淀积在硅圆片上面 §4.2.1 二氧化硅 §4.2 材料生长与淀积 形成薄膜的方法 热氧化 物理气相淀积（PVD） 化学气相淀积（CVD）
§4.2材料生长与淀积 1热氧化层生长 O2 Flow xsi SiO2 layer LVVV77777777☑ Xox surface Silicon wafer Silicon wafer (a)Growth phase (b)Final structure Figure 4.2 Thermal oxide growth 反应式：干氧：Sit02→Si02 湿氧：Si+2H20→Si02+2H2 消耗的硅层厚度：xs≈0.46x 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 2化学气相淀积(CVD)氧化工艺 气态物质通过化学反应在材料表面形成薄膜。适宜晶圆表 面已覆盖氧化层情况。 SiO2 molecules 。0。g08a 2.0。a00000000 CVD oxide Substrate Figure 4.3 CVD oxide process 反应式：SiH(气)+202（气）→Si02（固)+2H,0(气) 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 8
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 7 干氧：Si+O2→SiO2 湿氧：Si+2H2O → SiO2+2H2 1 热氧化层生长 §4.2 材料生长与淀积 反应式： Si ox 消耗的硅层厚度：x ≈ 0.46x 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 8 SiH4(气)+2O2（气） → SiO2（固）+2H2O（气） 2 化学气相淀积（CVD）氧化工艺 气态物质通过化学反应在材料表面形成薄膜。适宜晶圆表 面已覆盖氧化层情况。 §4.2 材料生长与淀积 反应式：
§4.2材料生长与淀积 §4.2.2氮化硅 ·用于表面覆盖，对大多数物质原子有阻挡作用，防污染 介电常数较大：6w≈7.8&。 制造过程中用来在电气上隔离相邻场效应管 同$0，一样，能被化学漂洗掉 反应式： 3SiH4(气)+4NH(气)→SiN4(固)+12H(气) 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 §4.2.3 多晶硅 多晶硅：Poy层，形成栅极 在SiO,上淀积硅原子，形成多晶（局部小区域Si原子规则 排列) 反应式：SiH4→Sit2H, Poy优点： •可被掺杂，增强导电性 与SiO2良好接合 ·可覆盖高熔点金属，如钛(T)、铂(Pt)、钨(W)、 钴(C0)，降低薄层电阻 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 10
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 9 3SiH4(气）+4NH3(气） → Si3N4(固）+12H2(气） §4.2 材料生长与淀积 §4.2.2 氮化硅 • 用于表面覆盖，对大多数物质原子有阻挡作用，防污染 • 介电常数较大： • 制造过程中用来在电气上隔离相邻场效应管 • 同SiO2一样，能被化学漂洗掉 0 ε ≈ 7.8ε N 反应式： 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 10 多晶硅：Poly层，形成栅极 SiH4 → Si+2H2 §4.2.3 多晶硅 §4.2 材料生长与淀积 反应式： •可被掺杂，增强导电性 •与SiO2良好接合 •可覆盖高熔点金属，如钛（Ti）、铂（Pt）、钨（W）、 钴（Co），降低薄层电阻 Poly优点： 在SiO2上淀积硅原子，形成多晶（局部小区域Si原子规则 排列）
§4.2材料生长与淀积 §4.2.4金属化 ·铝：粘附性好 Hillocks ·在真空腔中加热蒸发，形成 蒸铝流体覆盖晶圆 ·电阻率p=2.65μ2cm Voids ·缺点： Aluminum 电阻率比较大；高电流密度 情况下存在电迁移问题，原 子从导线一端移出，在另 一 端堆积。 I 铝的电迁移效应 电流密度：J= A wt 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 §4.2.5掺杂 扩散一高温过程 ·离子注入一常温下进行，注入后需要高温退火处理 Ion source Magnetic Accelerator Mass Separator Ion beam Wafer Figure 4.5 Basic sections of an ion implanter 掺杂剂原子在腔室中电离→加速到很高能量 →质量分离器→射入衬底 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 12
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 11 §4.2 材料生长与淀积 §4.2.4 金属化 wt I A I 电流密度：J = = • 铝：粘附性好 • 在真空腔中加热蒸发，形成 蒸铝流体覆盖晶圆 • 电阻率 • 缺点： 电阻率比较大；高电流密度 情况下存在电迁移问题，原 子从导线一端移出，在另一 端堆积。 ρ = 2.65μΩ ⋅ cm 铝的电迁移效应 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 12 §4.2 材料生长与淀积 §4.2.5 掺杂 •扩散——高温过程 •离子注入——常温下进行，注入后需要高温退火处理 掺杂剂原子在腔室中电离→加速到很高能量 →质量分离器→射入衬底
§4.2材料生长与淀积 高斯分布的注入剖面 -R2 No(x)=Ne 2△R。 Np R。:穿透的平均深度 Nion(x) ARp △R:穿透深度的标准差 N,:峰值密度 Rp D,=∫Na(xdx All x D 单位面积注入的离子数 采用退火法使掺杂剂 处于晶格位置上。 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 13 §4.2材料生长与淀积 离子注入法的特点： 一掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制， 杂质分布均匀 可进行小剂量的掺杂 一可进行极小深度的掺杂 一较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩模 一可供掺杂的离子种类较多 一在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 14
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 13 §4.2 材料生长与淀积 采用退火法使掺杂剂 处于晶格位置上。 高斯分布的注入剖面 ( ) ：峰值密度 ：穿透深度的标准差 ：穿透的平均深度 p p p R x R ion p N R R N x N e p p Δ = ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ Δ − − 2 2 1 ( ) I ：单位面积注入的离子数 All I ion D D N x x ∫ = x d 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 14 §4.2 材料生长与淀积 离子注入法的特点： – 掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制， 杂质分布均匀 – 可进行小剂量的掺杂 – 可进行极小深度的掺杂 – 较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩模 – 可供掺杂的离子种类较多 – 在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复
§4.2材料生长与淀积 §4.2.6化学机械抛光（CMP) 平坦化技术：将硅片表面变为一平坦表面。 采用化学刻蚀和机械“喷沙”在硅圆片上产生平整的表面。 Deposited oxide Substrate Substrate (a)After oxide deposition (b)After CMP Figure 4.8 Surface planarization 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.3刻蚀 光刻：图形由掩模转移到光刻胶上 刻蚀：图形由光刻胶转移到光刻胶下面的材料上 掩模：一块有铬图案的玻璃板 Glass Pattern on underside Figure 4.9 A reticle is a glass plate with a chromium pattern 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 16
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 15 §4.2 材料生长与淀积 §4.2.6 化学机械抛光（CMP） 采用化学刻蚀和机械“喷沙”在硅圆片上产生平整的表面。 平坦化技术：将硅片表面变为一平坦表面。 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 16 §4.3 刻蚀 掩模：一块有铬图案的玻璃板 光刻：图形由掩模转移到光刻胶上 刻蚀：图形由光刻胶转移到光刻胶下面的材料上
§4.3刻蚀 涂光刻胶：滴光刻胶→高速旋转 Photoresist coating Photoresist spray Spinning wafer Vacuum chuck (a)Resist application (b)Coated wafer Edge bead Edge bead Flat resist Wafer (c)Beading Figure 4.10 Photoresist application 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.3刻蚀 曝光： UV 光刻胶与光相互 作用，发生化学 反应。 Reticle Projection optics (not shown) resist-coated Reticle wafer surface shadow Figure 4.11 Exposure step 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 18
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 17 §4.3 刻蚀 涂光刻胶：滴光刻胶→高速旋转 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 18 §4.3 刻蚀 曝光： 光刻胶与光相互 作用，发生化学 反应
§4.3刻蚀 光刻胶：根据曝光前后溶解特性的变化，分为正胶和负胶。 正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶 负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶 正光刻胶特点 UV 过 Hardened -Reticle resist layer ☒ Transmitted light Wafer Wafer (a)Exposure pattern (b)After development and rinsing Figure 4.12 Characteristics of positive photoresist 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 19 §4.3刻蚀 例：氧化层刻蚀 Hardened resist layer Patterned oxide layer Oxide layer Substrate Substrate (a)Initial patterning of resist (b)After etching process Figure 4.13 Etching of an oxide layer 工艺步骤：甩胶→曝光→显影→刻蚀→去胶 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 20
2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 19 §4.3 刻蚀 正光刻胶特点 光刻胶：根据曝光前后溶解特性的变化，分为正胶和负胶。 正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶 负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 20 §4.3 刻蚀 例：氧化层刻蚀 工艺步骤：甩胶→曝光→显影→刻蚀→去胶
