第宄章基本光刻工艺--从曝无到最终检验 和冲洗液都是新的,所 冲洗 显影剂 以较沉浸系统清洁,由 于采用喷射系统也可大 大节约化学品的使用。 所以此工艺很受欢迎, 特别是对负性光刻胶工 艺。 对正性光刻胶工艺 真空 来说因为温度的敏感 性,当液体在压力下从喷嘴喷出后很快冷却,要 保证温度必须加热晶园吸盘。从而增加了设备的 复査性和工艺难度。第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －7－ 和冲洗液都是新的，所 以较沉浸系统清洁，由 于采用喷射系统也可大 大节约化学品的使用。 所以此工艺很受欢迎， 特别是对负性光刻胶工 艺 。 对正性光刻胶工艺 来说 因为温度的敏感 性，当液体在压力下从喷嘴喷出后很快冷却，要 保证温度必须加热晶园吸盘。从而增加了设备的 复查性和工艺难度。 冲洗 显影剂 真空